[发明专利]内连线制作方法

权利要求书

1.一种内连线制作方法，包括：

(a)提供具有导电区域的半导体基材；

(b)形成具有接触窗的介电层以覆盖该半导体基材，且该接触窗暴露部分的该导电区域；

(c)对覆盖有该介电层的该半导体基材进行热处理；以及

(d)形成导电层于该介电层上。

2.如权利要求1所述的内连线制作方法，其中在步骤(b)及步骤(d)之间还包括：

对该半导体基材进行预洗步骤。

3.如权利要求1所述的内连线制作方法，其中在步骤(c)中，该热处理为退火处理或快速退火处理。

4.如权利要求1所述的内连线制作方法，其中在步骤(d)中，该导电层的材料包含钨。

5.如权利要求1所述的内连线制作方法，其中在步骤(c)及步骤(d)之间还包括：

(c1)形成堆叠层以覆盖该接触窗表面及该导电区域。

6.如权利要求5所述的内连线制作方法，其中在步骤(d)中，该导电层的材料包含钨，该堆叠层包括含钛的第一层及含氮化钛的第二层，该第一层位于该导电区域及该第二层之间。

7.如权利要求6所述的内连线制作方法，其中该制作方法还包括：

形成钛硅化合物层于该第一层及该导电区域之间。

8.如权利要求6所述的内连线制作方法，其中在步骤(c1)中，使用包含四氯化钛的反应气体来形成该第一层及该第二层。

9.如权利要求8所述的内连线制作方法，其中在步骤(c1)中，使用等离子体辅助化学气相沉积技术来形成该第一层。

10.如权利要求9所述的内连线制作方法，其中形成该第一层的反应气体还包含氢气、氩气或氦气。

11.如权利要求9所述的内连线制作方法，其中形成该第一层的反应温度约为450至650℃。

12.如权利要求8所述的内连线制作方法，其中在步骤(c1)中，使用化学气相沉积技术来形成该第二层。

13.如权利要求1所述的内连线制作方法，其中在步骤(d)中，该导电层通过该接触窗电性连接该导电区域。

14.如权利要求1所述的内连线制作方法，其中在步骤(d)之后还包括：

进行研磨步骤。

15.一种内连线制作方法，包括：

(a)提供具有导电区域的半导体基材；

(b)形成具有接触窗的介电层以覆盖该半导体基材，且该接触窗暴露部分的该导电区域；

(c)对覆盖有该介电层的该半导体基材进行热处理，用以修复该导电区域；

(d)使用包含四氯化钛的反应气体来形成含钛的第一层及含氮化钛的第二层，该第一层覆盖该接触窗表面及该导电区域，该第二层覆盖该第一层；以及

(e)形成导电层覆盖该第二层。

16.如权利要求15所述的内连线制作方法，其中在步骤(d)中，使用等离子体辅助化学气相沉积技术来形成该第一层。

17.如权利要求16所述的内连线制作方法，其中形成该第一层的该反应气体还包含氢气、氩气或氦气。

18.如权利要求16所述的内连线制作方法，其中形成该第一层的反应温度约为450至650℃。

19.如权利要求15所述的内连线制作方法，其中在步骤(d)中，使用化学气相沉积技术来形成该第二层。

20.如权利要求15所述的内连线制作方法，其中该制作方法还包括：

形成钛硅化合物层于该第一层及该导电区域之间。

21.如权利要求15所述的内连线制作方法，其中在步骤(b)及步骤(d)之间还包括：

对该半导体基材进行预洗步骤。

22.如权利要求15所述的内连线制作方法，其中在步骤(c)中，该热处理为退火处理或快速退火处理。

23.如权利要求15所述的内连线制作方法，其中在步骤(e)中，该导电层的材料包含钨。