[发明专利]用来制造保护结构的方法

权利要求书

1.一种制造保护结构(100，200)的方法，其中所述方法具有下列特征：

提供具有第一导电类型的掺杂的半导体衬底(110)，

在半导体衬底(110)的表面处施加具有第二导电类型的掺杂的半导体层(120)，

在半导体层(120)的第一区域(150)中形成具有第二导电类型的掺杂的掩埋层(140)，其中所述掩埋层(140)制造在半导体层(120)和半导体衬底(110)之间的结(170)处，

在掩埋层(140)上的半导体层(120)的第一区域(150)中形成具有第一导电类型的掺杂的第一掺杂剂区(180)，

在半导体层(120)的第二区域(160)中形成具有第二导电类型的掺杂的第二掺杂剂区(190)，

在半导体层(180)的第一区域(150)和第二区域(160)之间形成电绝缘(125)，所述电绝缘(125)是从半导体层(120)的表面至少远到半导体衬底(110)而形成的，以及

为第一掺杂剂区(180)和第二掺杂剂区(190)形成公共连接装置(135)。

2.如权利要求1所述的方法，其中半导体层(120)被外延地制造。

3.如权利要求1或2所述的方法，其中半导体层(120)被制造成具有2μm≤d1≤20μm的厚度d1。

4.如权利要求1或2所述的方法，其中半导体层(120)被制造成具有k≤1×10¹⁵cm^-3的掺杂剂浓度。

5.如权利要求1或2所述的方法，其中半导体层(120)被制造成具有比半导体衬底(110)低的掺杂剂浓度。

6.如权利要求1或2所述的方法，其中半导体衬底(110)在表面处被提供有本征层(220)。

7.如权利要求6所述的方法，其中本征层(220)具有厚度d2，其中0≤d2≤8μm。

8.如权利要求1或2所述的方法，其中掩埋层(140)被形成为具有比半导体层(120)更高的掺杂剂浓度。

9.如权利要求1或2所述的方法，其中通过高度掺杂的掺杂剂区的外扩散制造掩埋层(140)。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述高度掺杂的掺杂剂区被注入在半导体衬底(110)的表面处。

11.如权利要求9所述的方法，其中所述高度掺杂的掺杂剂区被沉积在半导体衬底(110)的表面上。

12.如权利要求1或2所述的方法，其中通过第一导电类型的掺杂剂的外扩散制造电绝缘(125)。

13.如权利要求1或2所述的方法，其中通过形成沟槽制造电绝缘(125)。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述沟槽至少部分地被填充有电绝缘材料。

15.如权利要求1或2所述的方法，其中在连接装置(135)和掩埋层(140)之间形成至少一个连接区(230)。

16.如权利要求15所述的方法，其中利用第二导电类型的掺杂剂并且利用k_v＞1×10¹⁷cm^-3的掺杂剂浓度形成所述连接区(230)。

17.用来制造保护结构(100，200)的方法，其中所述方法具有下列特征：

提供具有第一导电类型的掺杂的半导体基底衬底(210)，

在半导体基底衬底(210)上制造第一外延层(220)，

在第一外延层(220)的被划界的注入区域中注入第二导电类型的掺杂剂，

在第一外延层(220)上施加具有第二导电类型的掺杂的第二外延层(120)，

在第二外延层(120)中形成绝缘区(125)，使得第二外延层(120)被分成第一区域(150)和第二区域(160)，

在注入区域上的第一区域(150)中制造具有第一导电类型的掺杂的第一掺杂剂区(180)，

在第二区域(160)中制造具有第二导电类型的掺杂的第二掺杂剂区(190)，

从注入区域向外扩散掺杂剂以便在第一外延层(220)与第二外延层(120)的第一区域(150)之间的结(170)处形成掩埋层(140)。