[发明专利]一种绝缘结构的形成方法和半导体结构

权利要求书

1.一种绝缘结构的形成方法，包含：

提供一基材，该基材中包含填满硅的一深沟槽以及与该深沟槽邻接的一 浅沟槽隔离，该基材上依序包含一图案化的衬垫氧化层与一图案化的硬掩 模，其中该图案化的衬垫氧化层与该图案化的硬掩模共同定义该深沟槽的一 开口；

进行一氧化步骤，使得填于该深沟槽中的该硅的表面形成一第一氧化 层，其中该第一氧化层作为一绝缘结构；

在该开口中形成一第一硅层，其覆盖该第一氧化层；以及

移除该硬掩模，

其中该第一硅层完全转变成与该第一氧化层合并的一第二氧化层。

2.如权利要求1的方法，其中该硬掩模包含氮化物、氮氧化物、碳化物、 或上述者的任意组合。

3.如权利要求1的方法，其中该氧化步骤为热氧化步骤。

4.如权利要求1的方法，其中于该开口中形成该第一硅层并覆盖该第一 氧化层包含：

全面性形成该第一硅层；

进行化学机械抛光以去除该硬掩模上的该第一硅层，使得该第一硅层覆 盖该第一氧化层。

5.如权利要求1的方法，其中该第一硅层包含非晶硅。

6.如权利要求1的方法，其中该第一硅层包含多晶硅。

7.如权利要求1的方法，其中该第一硅层的厚度为50-400

8.如权利要求1的方法，其中使用热磷酸来移除该硬掩模。

9.如权利要求1的方法，在移除该硬掩模前还包含：

对该基材进行高温工艺。

10.如权利要求1的方法，还包含：

移除该衬垫氧化层同时移除部分的该第一硅层，并暴露该基材。

11.如权利要求10的方法，其中使用含氟蚀刻剂来移除该衬垫氧化层。

12.如权利要求10的方法，在移除该衬垫氧化层后还包含：

形成一栅极氧化层，其位于该暴露的基材上。

13.如权利要求12的方法，其中使用热氧化步骤来形成该栅极氧化层。

14.如权利要求1的方法，还包含：

形成一栅极，其位于该第一氧化层上。

15.如权利要求1的方法，其中该浅沟槽隔离形成于该深沟槽之前。

16.如权利要求1的方法，其中该基材与该深沟槽内的该硅之间还包含 一复合材料层。

17.如权利要求1的方法，其中该绝缘结构作为一过路栅极的绝缘结构。

18.一种绝缘结构的形成方法，包含：

提供一基材，该基材中包含填满硅的一深沟槽以及与该深沟槽邻接的一 浅沟槽隔离，该基材上依序包含一图案化的衬垫氧化层与一图案化的硬掩 模，其中该图案化的衬垫氧化层与该图案化的硬掩模共同定义该深沟槽的一 开口；

进行一氧化步骤，使得填于该深沟槽中的该硅的表面被氧化而形成一第 一氧化层，其中该第一氧化层作为一绝缘结构；

在该开口中形成一第一硅层，其覆盖该第一氧化层；以及

移除该硬掩模。