[发明专利]衰减全反射传感器无效
申请号: | 200810109474.4 | 申请日: | 2008-06-12 |
公开(公告)号: | CN101324522A | 公开(公告)日: | 2008-12-17 |
发明(设计)人: | K-D·安德斯;M·哈勒尔 | 申请(专利权)人: | 梅特勒-托利多公开股份有限公司 |
主分类号: | G01N21/55 | 分类号: | G01N21/55 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 刘佳斐;蔡胜利 |
地址: | 瑞士格*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 衰减 全反射 传感器 | ||
1.用于确定溶解在测量介质(2)中的物质的ATR传感器(3),
具有ATR体(4),以及
具有壳体(7),所述壳体包括光源(12)和检测器(13),
其中所述ATR体(4)具有测量表面(5),可以使所述测量表面与所述 测量介质(2)直接接触,以及,
其中所述ATR体(4)具有平行于所述测量表面(5)布置的校准表面 (10),并且其中可以使所述校准表面(10)与校准标准接触和在至少一侧 上定界校准腔(9),所述校准腔被布置在所述壳体(7)内部。
2.根据权利要求1所述的ATR传感器,其特征在于,可以将由所述光 源(12)发射的辐射耦合到所述ATR体(4)内,并且在测量表面(5)处 和校准表面(10)处交替地反射,以便可以确定吸收值,所述吸收值包括 测量介质的吸收以及校准标准的吸收。
3.根据权利要求1或2之一所述的ATR传感器,其特征在于,所述ATR 体(4)在ATR体(4)远离所述介质的侧面上具有至少一个凹槽(8),所 述凹槽(8)由所述校准表面(10)定界,并且由适当的设备封闭,由此形 成所述校准腔(9)。
4.根据权利要求1至3之一所述的ATR传感器,其特征在于,所述校 准腔(9)具有至少一个用于引入和/或去除流体校准标准的连接。
5.根据权利要求1至4之一所述的ATR传感器,其特征在于,所述ATR 体(4)整体上由单件或者由借助光学透明的材料牢固连接的组件体形成。
6.根据权利要求5所述的ATR传感器,其特征在于,所述ATR体(4) 包括具有所述凹槽(8)的空心圆柱体,并且进一步包括覆盖所述空心圆柱 体的截锥,所述截锥的底部具有与所述空心圆柱体相同的直径。
7.用于溶解在测量介质(2)中的物质的ATR传感器(3)的检查校准 和/或执行在线校准的方法,所述ATR传感器特别是根据权利要求1至6之 一所述的ATR传感器,其中所述ATR传感器包括ATR体(4),至少一个光 源(12)和至少一个检测器(13),其特征在于,所述方法包括下面的步骤:
a.使所述ATR体(4)的测量表面(5)与所述测量介质(2)接触;
b.借助所述检测器(13),在从所述光源(12)耦合到所述ATR体 (4)内的辐射的衰减全反射之后,记录对于至少一个波长的至少一个吸收 值;
c.使所述ATR体(4)平行于所述测量表面(5)延伸的校准表面(10) 与以第一浓度存在的第一流体校准标准接触;
d.记录至少一个第二吸收值,其中所述第二吸收值包括所述测量介 质(2)的吸收以及所述第一校准标准的吸收;
e.基于所述第一和第二吸收值和基于所述第一校准标准的浓度确 定校准检查功能,并且将所述校准检查功能与所述最初的校准比较;
和/或
f.通过至少一个具有第二浓度的第二校准标准重复步骤(c)和(d) 执行在线校准,并且记录第三吸收值;以及
g.基于第一、第二和第三吸收值以及第一和第二浓度确定实际的校 准功能。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述校准标准是引入校 准腔(9)或从校准腔(9)去除的流体介质,在一侧上,所述校准腔由所 述校准表面(10)定界。
9.根据权利要求7或8之一所述的方法,其特征在于,对于至少一个 测量波长和至少一个校准波长,测量所述校准标准的和所述测量介质的吸 收,以便依靠所述两个波长确定至少两个校准检查功能和/或至少两个当前 的校准功能。
10.根据权利要求7至9之一所述的方法,其特征在于,从所述第一 吸收值,借助所述最初的校准或借助当前的校准确定所述测量介质中所述 物质的含量。
11.根据权利要求7至10之一所述的方法,其特征在于,在所述测量 表面(5)处和平行于所述测量表面(5)延伸的所述校准表面(10)处交 替地反射由所述光源(12)发射的辐射。
12.存在于根据权利要求1至6之一所述的ATR传感器的处理单元中 的计算机程序,其用于实现根据权利要求7至11之一所述的方法,特别地 用于借助最初的校准或当前的校准确定测量结果,和/或检验校准。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于梅特勒-托利多公开股份有限公司,未经梅特勒-托利多公开股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810109474.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电解装置
- 下一篇:基于复用子帧的加扰控制方法及装置