[发明专利]负极和二次电池无效

专利信息
申请号: 200810109884.9 申请日: 2008-06-05
公开(公告)号: CN101320794A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 广瀬贵一;川瀬贤一;小西池勇;仓泽俊佑;岩间正之;松元浩一 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01M4/02 分类号: H01M4/02;H01M4/36;H01M2/02;H01M10/40
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 封新琴
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 负极 二次 电池
【权利要求书】:

1.一种负极,包括:

负极集电体;及

布置在负极集电体上的负极活性物质层,

其中该负极活性物质层包含负极活性物质,该负极活性物质含有硅(Si), 并包含直径为3~50nm且包括两个端点的孔隙的群,及

按每单位重量的硅计,该直径为3~50nm且包括两个端点的孔隙的群的 容积为0.2cm3/g或更小,该容积是利用水银孔隙率计通过水银孔隙率法测 量的。

2.根据权利要求1的负极,其中

按每单位重量的硅计,该直径为3~50nm且包括两个端点的孔隙的群的 容积为0.05cm3/g或更小。

3.根据权利要求1的负极,其中

按每单位重量的硅计,该直径为3~50nm且包括两个端点的孔隙的群的 容积为0cm3/g。

4.根据权利要求1的负极,其中

按每单位重量的硅计,直径为3~20nm且包括两个端点的孔隙的群的容 积为0.2cm3/g或更小,该容积是利用水银孔隙率计通过水银孔隙率法测量 的。

5.根据权利要求4的负极,其中

按每单位重量的硅计,该直径为3~20nm且包括两个端点的孔隙的群的 容积为0.05cm3/g或更小。

6.根据权利要求4的负极,其中

按每单位重量的硅计,该直径为3~20nm且包括两个端点的孔隙的群的 容积为0cm3/g。

7.根据权利要求1的负极,其中

所述负极活性物质层的孔隙中包含含氧化物的膜。

8.根据权利要求7的负极,其中

所述含氧化物的膜包含至少一种选自下列的氧化物:硅的氧化物、锗(Ge) 的氧化物、及锡(Sn)的氧化物。

9.根据权利要求7的负极,其中

所述含氧化物的膜是通过液相沉积法、溶胶-凝胶法、涂布法或浸涂法 形成的。

10.根据权利要求1的负极,其中

所述负极活性物质层包括不与孔隙中的电极反应物形成合金的金属材 料。

11.根据权利要求10的负极,其中

所述金属材料包括选自下列中的至少一种:铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)、 锌(Zn)、及铜(Cu)。

12.根据权利要求10的负极,其中

所述金属材料是通过电解电镀法或化学镀法形成的。

13.根据权利要求1的负极,其中

所述负极活性物质呈多个颗粒的形式。

14.根据权利要求13的负极,其中

所述负极活性物质在其颗粒中具有多层构造。

15.根据权利要求1的负极,其中

所述负极活性物质是通过气相法形成的。

16.根据权利要求1的负极,其中

所述负极活性物质包含氧(O),且所述负极活性物质中的氧含量为3~40 at%且包括两个端点。

17.根据权利要求1的负极,其中

所述负极活性物质包含至少一种选自下列的金属元素:铁、钴、镍、铬 (Cr)、钛(Ti)、及钼(Mo)。

18.根据权利要求1的负极,其中

所述负极活性物质包括沿其厚度方向包含氧的含氧区,且该含氧区的氧 含量高于除该含氧区之外的其它区域的氧含量。

19.根据权利要求1的负极,其中

所述负极集电体的表面十点平均粗糙度Rz为1.5~6.5μm且包括两个端 点。

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