[发明专利]发光二极管阵列及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管阵列，包含：

一底座基板(BS)及多个发光二极管，每一所述发光二极管包含具有一 第一接触层、一半导体堆叠及一第二接触层的一堆叠，所述半导体堆叠位于 所述第一接触层的顶部，所述第二接触层位于所述半导体堆叠的顶部；

所述多个发光二极管，安排于同一所述底座基板上的像素矩阵中，作为 至少三类型红(R)、绿(G)、蓝(B)的发光二极管；

所述发光二极管根据其类型(R、G、B)而安排为所述像素矩阵中的至 少一第一、第二、及第三次像素，分别供至少第一、第二、及第三颜色的辐 射发射；以及

在所述底座基板上的互连电路，用以连接至所述阵列的发光二极管，供 驱动每一所述发光二极管，

其中，所述至少三类型发光二极管的至少之一的发光二极管安排为使所 述第一接触层直接位于所述底座基板上，且其它类型的发光二极管安排为使 一先质/附着层位于所述第一接触层与所述底座基板之间。

2.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中一发光二极管包含一调 整层于所述第二接触层上，所述第二接触层位于所述发光二极管的一光输出 侧，安排所述调整层供调整所述发光二极管的光输出特性。

3.根据权利要求1所述的发光二极管阵列，其中所述第一接触层为一负 接触层，而所述第二接触层为一正接触层。

4.一种用以制造一发光二极管阵列的方法，包含：

提供一底座基板(BS)；

提供多个发光二极管于同一所述底座基板上，每一发光二极管包含具有 一第一接触层、一半导体堆叠及一第二接触层的一堆叠；

安排所述多个发光二极管于所述底座基板上的一像素矩阵中，作为至少 三类型(R、G、B)的发光二极管；

根据发光二极管的类型(R、G、B)，安排所述发光二极管作为在所述 像素矩阵中的至少一第一、第二、及第三次像素，分别供至少第一、第二、 及第三颜色的辐射发射；以及

提供互连电路于所述底座基板上，用以连接所述阵列的发光二极管，供 驱动每一所述发光二极管，

其中，所述至少三类型发光二极管的至少之一的发光二极管安排为使所 述第一接触层直接位于所述底座基板上，且其它类型的发光二极管安排为使 一先质/附着层位于所述第一接触层与所述底座基板之间。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述底座基板为针对将成长的至少 一种类型的半导体堆叠晶格的一特定基板、或为与将成长的至少一种类型的 半导体堆叠晶格间具有可接受的结构相关性的一基板。

6.根据权利要求4所述的方法，还包含：

依附所述底座基板至一载体片。