[发明专利]发光二极管阵列及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管(LED)阵列及用以制造此阵列的 方法。

背景技术

目前有许多显示器型式，供电视及监视器应用的传统的阴极射 线管(CRT)显示器，到供电视、监视器及移动电话应用的主动矩 阵(Active Matrix)液晶显示(LCD)显示器。AM LCD因其外形 因素而快速地发展。薄膜晶体管(TFT)技术使得像素阵列片可用 在平板系统。然而，LCD显示器的画面效果(对比、亮度、视角、 切换时间、均匀度、色度)仍旧比传统CRT显示器差。主要的原因 为CRT是发射式显示器类型，而LCD是穿透式、反射式或半反穿 式transflective)。

平板阵列片也可用于目前发展中的AM OLED(有机发光二极 管)显示器。由于AM OLED也为发射式显示器类型，因此相较于 AM LCD显示器，AM OLED显示器预期将有较佳的画面效果。

利基市场(Niche markets)由使用电泳的显示器所引导，产生 具有静态影像(一般而言)的低功率电子书。非常大的屏幕显示器 (如电子广告牌)可由LED元件阵列所形成，其中个别LED封装 设置于一载体上，以形成具有非常大像素尺寸的显示器。

发明内容

LED阵列的一实施例包含：一底座基板(BS)及多个发光二 极管，每一发光二极管包含具有第一接触层、半导体堆叠及第二接 触层的一堆叠，半导体堆叠于第一接触层顶部，第二接触层于半导 体堆叠顶部，多个发光二极管安排于底座基板上的像素矩阵中，作 为至少三类型红(R)、绿(G)、蓝(B)的发光二极管；发光二极 管根据其类型(R、G、B)而安排为在像素矩阵中的至少一第一、 第二及第三次像素，供一个别特定的至少第一、第二、及第三颜色 的辐射发射；以及在基板上的互连电路，用以连接至阵列的发光二 极管，供驱动每一发光二极管。

一种用以制造一LED阵列的方法的一实施例，包含：提供一 底座基板(BS)；提供多个发光二极管于底座基板上，每一发光二 极管包含具有第一接触层、半导体堆叠及第二接触层的一堆叠；安 排多个发光二极管于底座基板上的像素矩阵中，作为至少三类型 (R、G、B)的发光二极管；根据发光二极管的类型(R、G、B)， 安排发光二极管作为在像素矩阵中的至少一第一、第二及第三次像 素，供一个别特定的至少第一、第二及第三颜色的辐射发射；以及 提供互连电路于基板上，用以连接阵列的发光二极管，供驱动每一 发光二极管。

附图说明

上述参考示意图而对本发明做出解释，其用以说明而非用以限 制权利要求所界定的保护范畴，其中：

图1a及1b分别显示LED阵列的一实施例的示范性布局的上 视图及剖面图；

图2显示LED堆叠安排的第一实施例的剖面示意图；

图3显示LED堆叠安排的第二实施例的剖面示意图；

图4显示LED堆叠安排的第三实施例的剖面示意图；

图5显示LED堆叠安排的第四实施例的剖面示意图；

图6显示LED堆叠安排的第五实施例的剖面示意图；以及

图7绘示用以驱动LED元件的第一电路的实施例。

具体实施方式

在一示范性实施例中，提供了一LED阵列显示器，其中组成 LED阵列的多个LED元件建立于一底座基板(BS)上。这样的LED 阵列显示器可包含所需的电极，以驱动个别的LED元件做为阵列 的(次)像素。LED元件通过使用沉积技术及光学微影而制造于底 座基板1(BS1)上。

图1a及1b分别显示LED阵列的一实施例的布局的上视图及 剖面图。特别地，图1a显示LED元件R、G、B的示范性阵列的 上视图，其中相同颜色的LED元件条状排列为个别的次像素。在 一条状结构内，每一LED元件可个别地驱动。需注意，为了清楚 起见，耦合至LED元件的电子电路在此并未详细显示。

包含多个发光二极管的LED阵列安排于一像素矩阵中。像素 矩阵包含可驱动像素，用以形成一影像。每一发光二极管为三颜色 类型R、G、B的其中之一的次像素。次像素系群组为包含三颜色 类型R、G、B的一组合，以作为一像素。在此实施例中，R、G、 B次像素的排序为所谓的RGB条状安排，其中次像素延伸作为沿 着垂直方向Y上的条状结构的个别次像素。LED元件R、G、B设 置于底座基板BS上。