[发明专利]有机发光元件及其制造方法

权利要求书

1、一种有机发光元件，包括：

有机发光二极管；

光电二极管，其包括具有高浓度P掺杂区、低浓度P掺杂区、本征区和高浓度N掺杂区的半导体层；以及

控制器，其通过根据从所述光电二极管输出的电压控制施加到所述有机发光二极管的电压，来将所述有机发光二极管所发出的光的亮度控制在恒定的水平。

2、根据权利要求1所述的有机发光元件，其中所述有机发光二极管包括第一电极、有机薄膜层和第二电极。

3、根据权利要求1所述的有机发光元件，其中所述有机发光二极管被连接至具有栅极、源极和漏极的晶体管。

4、根据权利要求1所述的有机发光元件，其中所述光电二极管的低浓度P掺杂区位于所述高浓度P掺杂区与所述本征区之间，以使所述光电二极管具有不对称结构，从而与具有对称结构的光电二极管相比，对光进行响应所产生电子空穴对的点移向所述低浓度P掺杂区，并且所产生空穴的平均寿命被延长。

5、根据权利要求1所述的有机发光元件，进一步包括反射膜，该反射膜设置为将从所述有机发光元件外部入射的光反射至所述光电二极管。

6、根据权利要求1所述的有机发光元件，进一步包括反射膜，该反射膜设置为将所述有机发光元件内部产生的光反射至所述光电二极管。

7、根据权利要求5所述的有机发光元件，其中所述反射膜由从包含Ag、Mo、Ti、Al和Ni的组中选择的至少一种金属制成。

8、根据权利要求5所述的有机发光元件，其中所述反射膜的厚度为100至

9、根据权利要求1所述的有机发光元件，其中所述光电二极管包括多个彼此并联的半导体层，且每个半导体层均具有高浓度P掺杂区、低浓度P掺杂区、本征区和高浓度N掺杂区。

10、一种制造有机发光元件的方法，该方法包括：

在基板上或者形成于所述基板上的缓冲层上形成第一半导体层和第二半导体层；

通过在所述第一半导体层中形成高浓度P掺杂区、低浓度P掺杂区、本征区和高浓度N掺杂区来形成光电二极管；

通过在所述第二半导体层中形成源区、漏区和沟道区并通过形成与所述沟道区绝缘的栅极来形成晶体管；以及

形成电连接至所述晶体管的有机发光二极管。

11、根据权利要求10所述的制造有机发光元件的方法，进一步包括在所述基板上形成反射膜，其中所述反射膜设置为将从所述有机发光元件外部入射的光反射至所述光电二极管。

12、根据权利要求11所述的制造有机发光元件的方法，其中所述反射膜由从包含Ag、Mo、Ti、Al和Ni的组中选择的至少一种金属制成。

13、根据权利要求11所述的制造有机发光元件的方法，其中所述反射膜形成的厚度为100至

14、根据权利要求10所述的制造有机发光元件的方法，其中所述光电二极管的低浓度P掺杂区位于所述高浓度P掺杂区与所述本征区之间，而所述高浓度N掺杂区形成于所述本征区的与所述低浓度P掺杂区相对的侧上。

15、一种制造有机发光元件的方法，该方法包括：

在基板上或形成于所述基板上的缓冲层上形成第二半导体层和多个第一半导体层；

通过在各个第一半导体层中形成高浓度P掺杂区、低浓度P掺杂区、本征区和高浓度N掺杂区并将所述多个第一半导体层并联来形成光电二极管；

通过在所述第二半导体层中形成源区、漏区和沟道区并形成与所述沟道区绝缘的栅极来形成晶体管；以及

形成电连接至所述晶体管的有机发光二极管。