[发明专利]有机发光元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明的各方面涉及有机发光元件及其制造方法。具体地说，本发明的各方面涉及具有光电二极管的有机发光元件及其制造方法，其中该光电二极管中形成有低浓度P掺杂区。

背景技术

有机发光元件是具有自发光性能的下一代显示装置。与液晶显示装置(LCD)相比，有机发光元件在诸如视角、对比度、响应时间、能耗等方面具有卓越的物理性能。

有机发光元件包括具有阳极、有机薄膜层和阴极的有机发光二级管。有机发光元件的类型包括：无源矩阵型，其中有机发光二极管以矩阵模式连接在扫描线和信号线之间以构成像素；以及有源矩阵型，其中各个像素的操作由起开关作用的薄膜晶体管(TFT)来控制。

然而，常规有机发光元件存在如下一些问题：由于发出光的有机薄膜层是由有机材料制成的，因此薄膜品质和发光性能会随着时间的推移而恶化，这会导致光的亮度降低。而且，有机发光装置的对比度可能会由于外部入射光被反射而变差。

发明内容

因此，本发明的各方面提供一种具有光电二极管的有机发光元件及其制造方法，该有机发光元件根据从外部入射的光的数量控制所发出光的亮度。

本发明的各方面还提供一种能够提高光电二极管的光检测效率的有机发光元件及其制造方法。

本发明的各方面还通过在光电二极管中形成低浓度P掺杂区来提高光电二极管的电流效率。

另外，本发明的各方面还提供彼此并联的光电二极管以提高光检测效率。

根据本发明的实施例，提供一种有机发光元件，该有机发光元件包括：形成于基板上的有机发光二极管，其连接至具有栅极、源极和漏极的晶体管，并包括第一电极、有机薄膜层和第二电极；形成于所述基板上的光电二极管，其包括具有高浓度P掺杂区、低浓度P掺杂区、本征区和高浓度N掺杂区的半导体层；以及控制器，其通过根据从所述光电二极管输出的电压控制施加到所述第一电极和第二电极的电压，来将所述有机发光二极管所发出的光的亮度控制在恒定的水平。

根据本发明的实施例，提供一种制造有机发光元件的方法，该方法包括：在基板上或者形成于所述基板上的缓冲层上形成第一半导体层和第二半导体层；通过在所述第一半导体层中形成高浓度P掺杂区、低浓度P掺杂区、本征区和高浓度N掺杂区来形成光电二极管；通过在所述第二半导体层中形成源区、漏区和沟道区并形成与所述沟道区绝缘的栅极来形成晶体管；以及形成电连接至所述晶体管的有机发光二极管。

根据本发明的实施例，提供一种制造有机发光元件的方法，该方法包括：在基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成第一半导体层和第二半导体层；在所述第一半导体层中形成具有高浓度P掺杂区、低浓度P掺杂区、本征区和高浓度N掺杂区的光电二极管，并在所述第二半导体层中形成源区、漏区和沟道区；在包括所述第一和第二半导体层在内的整个表面上形成栅极绝缘体，并在形成于沟道区上的栅极绝缘体上形成栅极；在包括所述栅极在内的整个表面上形成层间绝缘体，并在所述层间绝缘体和所述栅极绝缘体上制成图样以形成接触孔从而露出所述源区和漏区；形成通过所述接触孔连接至所述源区和漏区的源极和漏极；在所述整个表面上形成保护层，在所述保护层中形成通孔以露出所述源极或所述漏极的预定区域，并形成通过所述通孔连接至所述源极或所述漏极的第一电极；形成像素限定层以露出所述第一电极的部分区域，并在所露出的第一电极上形成有机薄膜层；以及在包括所述机薄膜层的所述像素限定层上形成阴极。

本发明并不限于上述各方面和实施例，因此其它方面和实施例，除非此处另外明确指出，可以通过下面的描述而对于本领域技术人员变得易于理解。

本发明的另外方面和/或优势将在下文的描述中被部分地阐述，而且将通过描述而部分地显而易见，或者可通过本发明的实践而获悉。

附图说明

通过下文结合附图对实施例的描述，本发明的这些和/或其它方面和优势将变得明显且更易于理解。其中：

图1是示出具有薄膜晶体管的常规有机发光元件的剖面示意图；

图2是示出根据本发明各方面的具有光电二极管的有机发光元件的剖面示意图；

图3A是示出根据本发明一实施例的光电二极管的半导体层的示意图；

图3B是示出根据本发明另一实施例的具有并联结构的光电二极管的示意图；以及

图4A至图4G是示出根据本发明的有机发光元件的制造方法的视图。

具体实施方式