[发明专利]用于信息记录和再现的装置和方法,及光学信息记录介质无效
申请号: | 200810111483.7 | 申请日: | 2008-06-26 |
公开(公告)号: | CN101335020A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 田部典宏 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | G11B7/0065 | 分类号: | G11B7/0065;G11B7/135;G11B7/24 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 董方源 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 信息 记录 再现 装置 方法 光学 介质 | ||
技术领域
本发明涉及信息记录装置、信息再现装置、信息记录方法、信息再现 方法和光学信息记录介质。
背景技术
过去,碟状光盘被广泛的用作光学信息记录介质,大体上,正在被使 用的有CD(紧凑型盘)、DVD(数字通用型盘)、蓝光盘(注册商标, 下文中称为BD)等。
在与这种光盘对应的光盘装置中,在光盘上记录了各种信息,所述信 息例如各种内容或用于计算机的各种数据等,所述各种内容例如各种音乐 内容、图片内容等。近年来,尤其是伴随着由于更高分辨率的图片、更高 音质的音乐等,以及对一张光盘上要记录的内容量的增加的需求,需要更 大容量的光盘。
已经提出了一种方法增加光盘容量的方法,在该方法中,通过使两个 系统的光束干涉并在记录介质中形成微观全息图来记录信息(参见,例如 日本专利申请公开No.2006-78834)。
作为另外一种增加光盘容量的方法,正在开发通过将有关技术的光盘 堆叠成多个层以增强记录密度的方法(参见,例如I.Ichimura et al, Technical Digest of ISOM’04,pp.52,Oct.11-15,Jeju Korea)。
发明内容
但是,在日本专利申请公开No.2006-78834描述的方法中,在旋转和 振动的光盘上执行一种高级控制,该控制在期望记录信息的位置处将两种 类型光束的聚焦位置同时对准,因此使用相关方法的光盘装置的构造会很 复杂,稳定地记录或再现信息变得很困难。
当使用上述Technical Digest描述的方法将全息图形成于光盘中时,与 为了形成全息图而照射的光的焦点附近不同的区域也容易变质(alter), 而且这种变质的区域在再现全息图时引起串扰噪声,使得难以以满意的信 噪比检测信号。
考虑到上述问题,期望提供一种新颖和改进的信息记录装置、信息再 现装置、信息记录方法、信息再现方法和光学信息记录介质,所述信息记 录装置能稳定地记录或再现信息并能够获得满意的信噪比。
根据本发明的实施例,提供了一种信息记录装置,用于在由记录材料 组成的多层光学信息记录介质上记录信息,所述记录材料根据照射光的光 强而改变性质,所述多层光学信息记录介质包括以多个层的形式交替存在 的已变质层和未变质层,在所述已变质层中所述记录材料已经变质,在所 述未变质层中所述记录材料尚未变质;所述信息记录装置包括:光源,用 于发射具有相干性的预定波长的记录光;光路分支单元,用于将从所述光 源发射的记录光的光路分支为第一光路和第二光路;聚焦位置控制单元, 分别安排在所述光路分束单元的后级,用于控制所述第一光路和所述第二 光路中所述记录光的聚焦位置;物镜,分别安排在所述聚焦位置控制单元 的后级,用于将所述第一光路和所述第二光路中的记录光收集在所述光学 信息记录介质上;其中,所述第一光路中的记录光从所述光学信息记录介 质一侧的表面垂直进入所述光学信息记录介质;所述第二光路中的记录光 从所述光学信息记录介质另一侧的表面垂直进入所述光学信息记录介质; 全息图被记录作为记录标记,所述全息图对应于由所述第一光路中的记录 光与所述第二光路中的记录光干涉所产生的驻波。
根据这种结构,光源发射具有相干性的预定波长记录光,光路分束单 元将由光源发射的记录光的光路分支为第一光路和第二光路,聚焦位置控 制单元分别控制第一光路中的记录光和第二光路中的记录光的聚焦位置, 物镜分别将第一光路中的记录光和第二光路中的记录光收集在光学信息记 录介质上。第一光路中的记录光和第二光路中的记录光在光学信息记录介 质中干涉并产生驻波,因而记录材料根据驻波改变性质,全息图被记录。 根据本发明的光学信息记录介质具有以多个层的形式交替存在的已变质层 和未变质层,在所述已变质层中所述记录材料已经变质,在所述未变质层 中所述记录材料尚未变质,因此要记录的全息图能够受到局限,并能够记 录具有优异信噪比的信息。
聚焦位置控制单元可以分别控制第一光路中的记录光和第二光路中的 记录光的聚焦位置,使第一光路中的记录光和第二光路中的记录光有相同 聚焦位置。
第一光路中的记录光和第二光路中的记录光的聚焦深度可以等于已变 质层和/或未变质层的厚度。
聚焦位置控制单元可以分别将第一光路中的记录光和第二光路中的记 录光的聚焦位置控制在未变质层所在的位置。
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