[发明专利]晶圆测试参数的限值确定方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种集成电路或半导体工艺中测试参数的限值确定方法，特别 是涉及一种晶圆可接受测试参数的限值确定方法。

背景技术

通常晶圆在制造出来之后，在进入后续切割封装之前，需要对其进行拣 选测试，通过拣选测试将最小的单元，即晶粒分类，将有缺陷或是不具备正 常工作能力的晶粒标注上记号，并在切割晶圆时将这些晶粒过滤出来丢弃， 避免不良的晶粒进入封装及后续制程，造成成本的无端浪费。拣选测试通常 包括晶圆可接受测试(WAT，wafer acceptance test)和电路探测(CP，Circuit Probe)。

WAT检测步骤在完成晶圆前期生产之后，以及在晶圆切割和封装之前， 用来保证一旦出现由于晶圆前期生产中的差错而使晶粒无法正常工作的情 况，可以通过WAT提前将其检测出来，以节省成本。由于WAT所测试的项 目中，包含了许多项破坏性测试，如果直接应用于晶粒之上，必会造成对晶 粒的破坏，从而影响出厂时的良率(yield)，因此通常会在制作晶粒时，在 每个晶粒与晶粒之间的空隙，也就是切割道(scribe line)上，制作测试结构 (test key)。WAT测试就是通过对这些测试结构的检测，从而推断其附近晶 粒中元件的工作性能是否完好。通常所说的WAT参数是指，对这些元件进行 电性能测量所得到的数据，例如连结性测试、阈值电压、漏极饱和电流等。

CP是良率测试的一种方式。良率测试是根据不同的客户需求，对每个晶 粒进行某些特定的功能性测试。具体地来说，CP是对每一个晶粒进行一连串 的功能通过(pass)/失败(fail)测试，例如开/短路测试、扫描测试、系统自 建功能性测试等。其中，成功通过某项功能性测试而达到客户所要求的质量 标准的晶粒就称为合格的晶粒，合格的晶粒占所有晶粒中的百分比就是良率。

对于CP测试参数，即使知道故障原因，也很难确定是由产线上的哪些或 者哪一个步骤所造成的。而晶片的生产步骤多则上百，对每一道工序或者每 一个参数进行监控也是不现实的。一般地，工程师往往通过对WAT参数的监 控，来侦察前期的生产过程中是否存在足以影响产品品质的疏漏。因此，如 何设定WAT参数的限值范围对于能否准确判断WAT参数至关重要。现有监 控手段中，对于WAT参数限值范围，往往只根据该WAT参数是否出现过问 题来调整，对于曾经出现过问题的WAT参数就采用较紧的范围，对于未出现 过问题的WAT参数则按照常规较宽的限值范围。这样的界定方式使限值范围 不是过于宽泛，就是过于收紧，前者容易错过发现问题的良机，后者则会产 生误报，浪费大量人力和时间。

另外，由于机台设备校准或者工艺参数设置不够优化等原因，对晶圆切 割道上的元件的电性测试往往会出现不太一致的结果，也就是WAT参数会发 生一定的漂移。当这种漂移处在控制范围以内，也就是并没有造成CP良率的 下降时，可以认为这种漂移是正常的。然而现有监控手段中，一旦WAT参数 发生漂移，就会发出警告，造成大量误报。

发明内容

本发明要解决的问题是提供一种晶圆测试参数的限值确定方法，准确地 界定WAT参数的限值，减少误报率，提高准确率和生产效率。

基于上述目的，本发明提供了一种晶圆参数的限值确定方法，包括：在 晶圆的良率测试参数与可接受测试参数相关的情况下，根据所述可接受测试 参数和良率测试参数的测量值，确定所述良率测试参数以及所述可接受测试 参数的相关性趋势；确定将晶圆分成正向组和负向组的分界值，使与所述相 关性趋势一致的组内具有最多数量的晶圆；其中，所述分界值对应于可接受 测试参数和良率测试参数；所述正向组晶圆包括具有正常可接受测试参数和 不合格良率测试参数的晶圆以及具有异常可接受测试参数和合格良率测试参 数的晶圆，所述负向组晶圆包括具有异常可接受测试参数和不合格良率测试 参数的晶圆以及具有正常可接受测试参数和合格良率测试参数的晶圆；将所 述确定的分界值对应的可接受测试参数的值作为所述可接受测试参数的限 值。

可选的，在所述确定所述良率测试参数以及所述可接受测试参数的相关 性趋势之前，对测量值进行去噪处理。

可选的，所述去噪处理采用光滑样条算法。

可选的，所述确定所述良率测试参数以及所述可接受测试参数的相关性 趋势的过程中，所述可接受测试参数与所述良率测试参数对应最相关。