[发明专利]在电介质层上形成孔的方法有效
| 申请号： | 200810112513.6 | 申请日： | 2008-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN101587838A | 公开（公告）日： | 2009-11-25 |
| 发明（设计）人： | 孙武;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电介质 形成 方法 | ||
1.一种在电介质层上形成孔的方法，其特征在于，包括步骤：
提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有电介质层，电介质层上具有图形化的光刻胶层；
以光刻胶层为掩膜，对电介质层进行第一次等离子刻蚀，在所述电介质层上形成小于目标深度的接触孔；
以光刻胶层为掩膜，对电介质层进行第二次等离子刻蚀，在电介质层上形成达到目标深度的接触孔。
2.如权利要求1所述在电介质层上形成孔的方法，其特征在于：所述的第一次等离子刻蚀为以包括氟代烃和氧气的混合气体作为刻蚀气体的等离子刻蚀，其中氟代烃的流量是5sccm至15sccm，氧气的流量是3sccm至10sccm。
3.如权利要求2所述在电介质层上形成孔的方法，其特征在于：所述的等离子刻蚀使等离子体轰击电介质层的偏移功率为1000W至2000W。
4.如权利要求1所述在电介质层上形成孔的方法，其特征在于：所述的第二次等离子刻蚀为以包括氟代烃和氧气的混合气体作为刻蚀气体的等离子刻蚀，其中氟代烃的流量是3sccm至12sccm，氧气的流量是10sccm至20sccm。
5.如权利要求2或4所述在电介质层上形成孔的方法，其特征在于：所述的氟代烃为C4F8或C4F6。
6.如权利要求5所述在电介质层上形成孔的方法，其特征在于：所述的等离子刻蚀使等离子体轰击电介质层的偏移功率为2000W至3000W。
7.如权利要求3或6所述在电介质层上形成孔的方法，其特征在于：所述的等离子刻蚀的时间为12秒至17秒，使气体等离子化的源功率为200W至1000W，刻蚀压力是10mTorr至100mTorr。
8.如权利要求1所述在电介质层上形成孔的方法，其特征在于：所述的孔为双镶嵌结构中的接触孔。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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