[发明专利]套刻对准标记及其制作方法

权利要求书

1.一种套刻对准标记的制作方法，其特征在于，包括：

提供形成有第一导电层的半导体衬底，所述半导体衬底包括第一子套刻对准标记区域和第二子套刻对准标记区域；

去除第二子套刻对准标记区域的第一导电层，在第一子套刻对准标记区域相应形成的第一子套刻对准标记包括第一导电层；

在半导体衬底上第二子套刻对准标记区域形成第二子套刻对准标记；

所述第一导电层上形成有阻挡层，所述去除第二子套刻对准标记区域的第一导电层包括步骤：

在阻挡层上形成第一光刻胶层，定义出第一子套刻对准标记图形；

以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀阻挡层和第一导电层至半导体衬底；所述第一光刻胶层为负胶。

2.根据权利要求1所述的套刻对准标记的制作方法，其特征在于，所述形成第二子套刻对准标记包括步骤：

在第一子套刻对准标记和半导体衬底上依次形成绝缘层和顶盖层；

在绝缘层和顶盖层中形成第二子套刻对准标记。

3.根据权利要求2所述的套刻对准标记的制作方法，其特征在于，所述在绝缘层和顶盖层中形成第二子套刻对准标记包括步骤：

在顶盖层上形成第二光刻胶层，定义出第二子套刻对准标记图形；

以第二光刻胶层为掩膜，依次刻蚀顶盖层和绝缘层，形成第二子套刻对准标记沟槽；

去除第二光刻胶层，在顶盖层表面和第二子套刻对准标记沟槽内淀积第二导电层；

去除第二子套刻对准标记沟槽以外的第二导电层，形成第二子套刻对准标记。

4.根据权利要求1所述的套刻对准标记的制作方法，其特征在于，所述形成第二子套刻对准标记包括步骤：

在第一子套刻对准标记和半导体衬底上依次形成绝缘层和顶盖层；

在顶盖层中形成第二子套刻对准标记。

5.根据权利要求4所述的套刻对准标记的制作方法，其特征在于，所述在顶盖层中形成第二子套刻对准标记包括步骤：

在顶盖层上形成第二光刻胶层，定义出第二子套刻对准标记图形；

以第二光刻胶层为掩膜，刻蚀顶盖层，形成第二子套刻对准标记沟槽；

去除第二光刻胶层，在顶盖层表面和第二子套刻对准标记沟槽内淀积第二导电层；

去除第二子套刻对准标记沟槽以外的第二导电层，形成第二子套刻对准标记。

6.根据权利要求2至5中任一项所述的套刻对准标记的制作方法，其特征在于，所述顶盖层至少包括第一顶盖层和第二顶盖层。

7.一种套刻对准标记，其特征在于，包括：

具有第一子套刻对准标记区域和第二子套刻对准标记区域的半导体衬底，其中，所述二子套刻对准标记区域中仅第一子套刻对准标记区域上形成有第一导电层；

位于第一子套刻对准标记区域内的第一子套刻对准标记，所述第一子套刻对准标记包括第一导电层，所述第一导电层上形成有阻挡层，所述去除第二子套刻对准标记区域的第一导电层包括步骤：在阻挡层上形成第一光刻胶层，定义出第一子套刻对准标记图形，所述第一光刻胶层为负胶，以第一光刻胶层为掩膜，刻蚀阻挡层和第一导电层至半导体衬底而形成第一子套刻对准标记；

位于第二子套刻对准标记区域内的第二子套刻对准标记。

8.根据权利要求7所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一子套刻对准标记还包括位于第一导电层上的阻挡层。

9.根据权利要求7所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第一子套刻对准标记区域还形成有绝缘层和顶盖层。

10.根据权利要求7所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第二子套刻对准标记区域还形成有绝缘层、顶盖层、以及位于绝缘层和顶盖层中的第二子套刻对准标记沟槽，所述沟槽内填充有作为第二子套刻对准标记的第二导电层。

11.根据权利要求7所述的套刻对准标记，其特征在于，所述第二子套刻对准标记区域还形成有绝缘层、顶盖层、以及位于顶盖层中的第二子套刻对准标记沟槽，所述沟槽内填充有作为第二子套刻对准标记的第二导电层。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的套刻对准标记，其特征在于，所述顶盖层至少包括第一顶盖层和第二顶盖层。