[发明专利]掺杂区形成方法有效
| 申请号： | 200810113987.2 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101593678A | 公开（公告）日： | 2009-12-02 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;杜珊珊;韩宝东;李泽逵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李 丽 |
| 地址： | 100176北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 形成 方法 | ||
1.一种掺杂区形成方法，其特征在于，包括：
在基底上确定掺杂区域；
对所述区域完成离子注入操作；所述离子注入操作为磷离子注入操 作；
将经历所述离子注入操作的基底移出离子注入腔室，移出时，所述 基底的温度小于或等于磷酸生成温度；
清洁所述基底；
对经历所述清洁操作的基底执行热处理操作，形成掺杂区。
2.根据权利要求1所述的掺杂区形成方法，其特征在于：使所述 基底的温度小于或等于磷酸生成温度时，采用控制完成离子注入操作与 移出操作之间的时间间隔的方式。
3.根据权利要求1所述的掺杂区形成方法，其特征在于：将经历 所述热处理操作的基底移出热处理腔室时，所述基底的温度小于或等于 磷酸生成温度。
4.根据权利要求3所述的掺杂区形成方法，其特征在于：使所述 基底的温度小于或等于磷酸生成温度时，采用控制完成热处理操作与移 出操作之间的时间间隔的方式。
5.根据权利要求1或3所述的掺杂区形成方法，其特征在于：使 所述基底的温度小于或等于磷酸生成温度时采用制冷工艺。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的掺杂区形成方法，其特征在 于：所述掺杂区包括轻掺杂区、源/漏区和阱区。
7.根据权利要求1至4中任一项所述的掺杂区形成方法，其特征 在于，清洁所述基底的步骤包括：
去除确定掺杂区域时引入的掩模层；
清洗所述基底。
8.根据权利要求1至4中任一项所述的掺杂区形成方法，其特征 在于：所述热处理操作为快速热退火操作。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
