[发明专利]一种铝碳化硅封装外壳的封接方法有效
| 申请号： | 200810114098.8 | 申请日： | 2008-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN101293294A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 吴茂;何新波;曲选辉;孟菲菲;任淑彬 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | B23K1/008 | 分类号： | B23K1/008;B23K1/20;H01L21/48 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 封装 外壳 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种铝碳化硅封装外壳的封接方法，其特征是工艺步骤如下：
(1)首先在SiCp/Al复合材料表面直接化学镀Ni-P合金，其中Ni-P镀层的P质量百分含量为2％～12％，余量为Ni，Ni-P镀层厚度为1.0～9.0μm；
(2)在镀Ni--P合金后的表面化学镀Ni-B合金，其中Ni-B镀层的B质量百分含量为0.5％～4％，余量为Ni，其厚度为0.1～8.0μm；
(3)将Ni-P)/Ni-B双镀层结构的SiCp/Al复合材料用Sn-Ag-Ni焊料钎焊，SiCp/Al复合材料外壳与盖板焊接表面是Ni-P/Ni-B双镀层结构，中间是用Sn-Ag-Ni焊料；工艺焊接条件如下：真空度为1×10-3Pa，焊接温度为240～290℃，焊接时间为2～30分钟。
2.如权利要求1所述的一种铝碳化硅封装外壳的封接方法，其特征是其中Ni(P)镀层的P质量百分含量为4％～10％，Ni-P镀层厚度为3.0～7.0μm。
3.如权利要求1所述的一种铝碳化硅封装外壳的封接方法，其特征是其中Ni-B镀层的B质量百分含量为1％～3％，其厚度为1.0～4.0μm。
4.如权利要求1所述的一种铝碳化硅封装外壳的封接方法，其特征是焊接温度为270～290℃，焊接时间为2～10分钟。
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