[发明专利]阵列基板及其制造方法和液晶显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板，以及逐层布设在所述衬底基板上的栅极扫描线、栅极绝缘层、钝化层和像素电极，在所述衬底基板上还布设有第一电极，所述第一电极与所述像素电极区域至少部分重叠以形成存储电容，其特征在于：在所述形成存储电容部分的所述第一电极和所述像素电极之间还设有阻隔层，所述阻隔层用于防止所述第一电极和所述像素电极的导通。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述阻隔层的材质为钼、铜、铝或钕铝，或上述材料的合金。

3.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于：所述阻隔层设置在所述钝化层与所述栅极绝缘层之间。

4.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于：所述阻隔层所占区域的范围大于或等于所述第一电极与所述像素电极的重叠区域的范围。

5.根据权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于：所述第一电极为栅极扫描线或公共电极线。

6.一种阵列基板制造方法，其特征在于包括：

步骤1、在衬底基板上沉积金属材质，采用构图工艺形成栅极扫描线和第一电极；

步骤2、在完成步骤1的衬底基板上沉积栅极绝缘层；

步骤3、在完成步骤2的衬底基板上连续沉积非晶硅材质和n+非晶硅材质，采用构图工艺形成有源层；

步骤4、在完成步骤3的衬底基板上沉积金属材质，采用构图工艺形成数据线、源电极、漏电极和阻隔层，所述阻隔层形成在所述第一电极的上方；

步骤5、在完成步骤4的衬底基板上形成钝化层，并采用构图工艺在所述漏电极上方的钝化层中形成钝化层过孔；

步骤6、在完成步骤5的衬底基板上沉积像素电极材质，采用构图工艺形成像素电极，且所述像素电极的区域与所述第一电极的区域至少部分重叠， 所述阻隔层介于形成存储电容部分的所述第一电极和所述像素电极之间，且用于防止所述第一电极和所述像素电极的导通。

7.根据权利要求6所述的阵列基板制造方法，其特征在于：在所述步骤4中，所述阻隔层与所述数据线、源电极和漏电极同时形成或分别形成。

8.一种采用权利要求1～5所述的任一阵列基板的液晶显示装置，其特征在于还包括：与所述阵列基板对盒设置的彩膜基板，填充在所述阵列基板和所述彩膜基板之间的液晶层。