[发明专利]TFT-LCD像素结构和液晶显示器修复断线的方法有效

专利信息
申请号: 200810115594.5 申请日: 2008-06-25
公开(公告)号: CN101614916A 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: 彭志龙 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;G02F1/13
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘 芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: tft lcd 像素 结构 液晶显示器 修复 断线 方法
【权利要求书】:

1.一种液晶显示器修复断线的方法,其特征在于,包括:

步骤100、确定栅线断点的位置;

步骤110、采用激光焊接方法,将所述栅线断点两侧的栅线通过交叠条 和像素电极连接起来,采用激光切割方法,使所述像素电极所对应的TFT失 效;其中,所述交叠条为至少一个第一交叠条和至少一个第二交叠条,所 述至少一个第一交叠条形成在同一像素行中相邻的像素区域之间,所述至 少一个第二交叠条形成在同一像素列中相邻的像素区域之间,所述第一交 叠条与所述栅线同层,且与所述栅线在同一次构图工艺中形成;

所述步骤100与步骤110之间还包括步骤:判断栅线断点的位置是否 位于同一个像素电极的二个第二交叠条之间。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器修复断线的方法,其特征在于,所 述步骤110具体包括:根据所述栅线断点的位置,选择同一像素行中二个相 邻的像素区域:第一像素区域和第二像素区域,所述二个像素区域均位于所 述栅线的同一侧;采用激光焊接方法,将位于所述第一像素区域内的像素电 极与第二交叠条熔接,且将所述第二交叠条与所述栅线断点一侧的栅线熔接; 采用激光焊接方法,将位于所述第二像素区域内的像素电极与第二交叠条熔 接,且将所述第二交叠条与所述栅线断点另一侧的栅线熔接;采用激光焊接 方法,将位于所述第一像素区域内的像素电极与第一交叠条熔接,将位于所 述第二像素区域内的像素电极与同一第一交叠条熔接;采用激光切割方法使 所述第一像素区域和第二像素区域内的TFT失效。

3.根据权利要求1所述的液晶显示器修复断线的方法,其特征在于,所 述步骤110具体包括:根据所述栅线断点的位置,选择栅线断点所在的断点 像素区域;采用激光焊接方法,将所述栅线断点一侧的栅线与位于该侧的第 二交叠条熔接,且将所述第二交叠条与位于所述断点像素区域内的像素电极 熔接;采用激光焊接方法,将所述栅线断点另一侧的栅线与位于该侧的第二 交叠条熔接,且将所述第二交叠条与位于所述断点像素区域内的像素电极熔 接;采用激光切割方法使所述断点像素区域内的TFT失效。

4.根据权利要求1~3中任一权利要求所述的液晶显示器修复断线的方 法,其特征在于,所述采用激光切割方法使TFT失效具体包括:采用激光切 割方法,将所述TFT的栅电极断开、将所述TFT的源电极断开或将所述TFT 的漏电极断开。

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