[发明专利]TFT-LCD像素结构和液晶显示器修复断线的方法有效

专利信息
申请号: 200810115594.5 申请日: 2008-06-25
公开(公告)号: CN101614916A 公开(公告)日: 2009-12-30
发明(设计)人: 彭志龙 申请(专利权)人: 北京京东方光电科技有限公司
主分类号: G02F1/1362 分类号: G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/84;G02F1/13
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 代理人: 刘 芳
地址: 100176北京*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: tft lcd 像素 结构 液晶显示器 修复 断线 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种液晶显示器,特别是一种TFT-LCD像素结构、一种TFT-LCD像素结构的制造方法以及一种液晶显示器修复断线的方法。 

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)具有体积小、功耗低、无辐射等特点,现已占据了平面显示领域的主导地位。液晶显示器的主体结构包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板,阵列基板上形成有提供扫描信号的栅线、提供数据信号的数据线以及形成像素点的像素电极。 

液晶显示器的制备工艺主要包括制备阵列基板和彩膜基板的阵列工艺、将阵列基板和彩膜基板对盒并滴注液晶的成盒工艺以及后续的模组工艺,在上述制备工艺中,断线是一种常见的不良,而且相比像素点不良,断线不良发生的比率非常高。当断线不良在成盒工艺之前发现时,现有技术一般采用化学气相沉积修复(CVD Repair)方法进行搭桥修复,而对于成盒工艺之后的断线不良,现有技术未给出切实可行的解决方案。 

由于发生断线的结构比较复杂,如断线位于数据线与栅线的交叉部位(栅线断或数据线断),或断线位于数据线与公共电极线的交叉部位(公共电极线断或数据线断),因此在成盒工艺之前即使采用化学气相沉积搭桥修复,修复的难度仍然很大,修复成功率不高。基于目前的像素结构,在成盒工艺之后出现断线不良时,现有技术只能做不合格(NG)处理,废弃成本较高。 

现有技术提出了一种在像素结构的外围区域设置修复线的技术方案,但实际使用表明,由于少量长距离的修复线设置在外围区域,不仅只能修复1~2条数据线断线,而且修复断线的效果差,修复成功率低。 

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD像素结构、一种TFT-LCD像素结构的制造方法以及一种液晶显示器修复断线的方法,通过在相邻的像素区域之间设置交叠条,可将断线不良修复为像素点不良,降低了废弃成本。 

为实现上述目的,本发明提供了一种TFT-LCD像素结构,包括由栅线和数据线限定的数个像素区域,每个像素区域包括薄膜晶体管和像素电极,相邻的像素区域之间形成有至少二个交叠条,所述交叠条的一端与一个像素区域中的像素电极重叠,另一端与另一个像素区域中的像素电极重叠,中部与栅线和/或数据线重叠。 

所述至少二个交叠条可以为至少一个第一交叠条和至少一个第二交叠条,所述至少一个第一交叠条形成在同一像素行中相邻的像素区域之间,所述至少一个第二交叠条形成在同一像素列中相邻的像素区域之间。 

所述至少二个交叠条也可以为至少二个第一交叠条,所述至少二个第一交叠条分别形成在同一像素行中相邻的像素区域之间。 

所述至少二个交叠条还可以为至少二个第二交叠条,所述至少二个第二交叠条分别形成在同一像素列中相邻的像素区域之间。 

所述第一交叠条与所述栅线同层,且与所述栅线在同一次构图工艺中形成。所述第二交叠条与所述数据线同层,且与所述数据线在同一次构图工艺中形成。所述交叠条的宽度大于5μm。 

为实现上述目的,本发明还提供了一种TFT-LCD像素结构的制造方法,包括: 

步骤1、在基板上形成包括栅线和数据线的图形,同时在相邻的像素区域之间形成至少二个交叠条图形,所述交叠条的一端位于一个像素区域内,另一端位于另一个像素区域内,中部与栅线和/或数据线重叠; 

步骤2、在完成前述步骤的基板上沉积钝化层,通过构图工艺在漏电极位置形成钝化层过孔; 

步骤3、在完成前述步骤的基板上沉积透明导电层,通过构图工艺形成包括像素电极的图形,使像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接,且像素电极与所述至少二个交叠条的端部重叠。 

为实现上述目的,本发明进一步提供了一种液晶显示器修复断线的方法,包括: 

步骤100、确定栅线断点或数据线断点的位置; 

步骤110、采用激光焊接方法,将所述栅线断点两侧的栅线或数据线断点两侧的数据线通过交叠条和像素电极连接起来,采用激光切割方法,使所述像素电极所对应的TFT失效; 

所述步骤100与步骤110之间还包括步骤:判断数据线断点的位置是否位于同一个像素电极的二个第一交叠条之间,或判断栅线断点的位置是否位于同一个像素电极的二个第二交叠条之间。 

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京京东方光电科技有限公司,未经北京京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810115594.5/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top