[发明专利]提高同步数字体系虚级联延时补偿缓存效率的方法及装置

权利要求书

1.一种提高同步数字体系虚级联延时补偿缓存效率的方法，其特征在于， 所述方法包括：

将至少四个虚容器VC分别映射在同步动态随机存储器SDRAM的四个存 储库Bank中；

将同步动态随机存储器SDRAM写请求分别写入VC的写请求先进先出 FIFO寄存器中；将同步动态随机存储器SDRAM读请求分别写入VC的读请 求先进先出FIFO寄存器中；

轮询所述VC的写请求FIFO寄存器和轮询所述VC的读请求FIFO寄存器。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其特征在于，所述VC为 同步传输模块第4级STM-4中的虚容器VC4。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述VC4包括一个标准容 器C4或者3个虚容器VC3，当VC4包括3个虚容器VC3时，所述方法还包 括：

将每个所述VC4的缓存区划分3个第一子缓存区，每个第一子缓存区中 存储一个虚容器VC3。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述虚容器VC3包括：一 个标准容器C3或者21个虚容器VC12，当虚容器VC3包括21个虚容器VC12 时，所述方法还包括：

将所述虚容器VC3的缓存区划分为至少21个第二子缓存区，每个第二子 缓存区中存储一个虚容器VC12。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述SDRAM为单通道同 步动态随机存储器SDR SDRAM或者双通道同步动态随机存储器DDR SDRAM。

6.一种提高同步数字体系虚级联延时补偿缓存效率的装置，其特征在于， 所述装置包括：

映射模块，用于将至少四个虚容器VC分别映射在同步动态随机存储器 SDRAM的四个存储库Bank中；

写入模块，用于将同步动态随机存储器SDRAM写请求分别写入VC的写 请求先进先出FIFO寄存器中；将同步动态随机存储器SDRAM读请求分别写 入VC的读请求先进先出FIFO寄存器中；

轮询模块，用于轮询所述VC的写请求FIFO寄存器和轮询所述VC的读请求 FIFO寄存器。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，其特征在于，所述VC为 同步传输模块第4级STM-4中的虚容器VC4。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述VC4包括一个标准容 器C4或者3个虚容器VC3，当虚容器VC4包括3个虚容器VC3时，所述装 置还包括：

第一划分模块，用于将每个所述虚容器VC4的缓存区划分3个第一子缓 存区，每个第一子缓存区中存储一个虚容器VC3。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述虚容器VC3包括：一 个标准容器C3或者21个虚容器VC12，当虚容器VC3包括21个虚容器VC12 时，所述装置还包括：

第二划分模块，用于将所述虚容器VC3的缓存区划分为至少21个第二子 缓存区，每个第二子缓存区中存储一个虚容器VC12。

10.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述SDRAM为单通道同 步动态随机存储器SDR SDRAM或者双通道同步动态随机存储器DDR SDRAM。