[发明专利]液晶显示器阵列基板及其制造方法

权利要求书

1.一种液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤11、在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和钝化层的结构图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上形成像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静电电极图形。

2.根据权利要求1所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤12具体包括：在完成步骤11的基板上沉积透明导电薄膜，通过构图工艺形成包括像素电极的结构图形，同时在封框胶区域内形成防静电电极图形，所述防静电电极与像素电极绝缘，并位于数据线上方。

3.一种液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

步骤21、在基板上形成包括栅线、栅电极和有源层的结构图形；

步骤22、在完成步骤21的基板上形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，其中所述数据线的两侧为防止静电聚集的斜坡状或阶梯状；

步骤23、在完成步骤22的基板上形成包括钝化层和像素电极的结构图形。

4.根据权利要求3所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤22具体包括：

在完成步骤21的基板上沉积源漏金属薄膜；

在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光和显影处理，使数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；

采用湿法刻蚀工艺对未覆盖光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀，形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，且刻蚀中，沿着源漏金属薄膜从下表面到上表面的厚度方向，横向刻蚀速度逐渐增大，使所述数据线的两侧形成可防止静电聚集的斜坡状；

剥离剩余的光刻胶。

5.根据权利要求3所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤22具体包括：

在完成步骤21的基板上沉积源漏金属薄膜；

在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光和显影处理，使数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；

采用干法刻蚀工艺对未覆盖光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀，形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，然后通过至少一次的光刻胶灰化、数据线边缘刻蚀工艺，使所述数据线的两侧形成可防止静电聚集的阶梯状；

剥离剩余的光刻胶。

6.根据权利要求5所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述光刻胶灰化、数据线边缘刻蚀工艺具体包括：

进行光刻胶灰化，减少覆盖在数据线上光刻胶的宽度，暴露出数据线两侧的边缘区域；

采用干法刻蚀工艺对暴露出来的数据线的边缘区域进行刻蚀，在数据线两侧形成阶梯状。

7.根据权利要求3～6中任一权利要求所述的液晶显示器阵列基板的制造方法，其特征在于，所述步骤23具体包括：在完成步骤22的基板上形成钝化层图形；在形成像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静电电极图形，所述防静电电极与像素电极绝缘，并位于数据线上方。

8.一种液晶显示器阵列基板，包括形成在像素区域内的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，还包括与所述像素电极同层且绝缘的防静电电极，所述防静电电极形成在封框胶区域，并位于数据线上方。

9.一种液晶显示器阵列基板，包括形成在像素区域内的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，在封框胶区域，所述数据线的两侧设置成防止静电聚集的斜坡状或阶梯状。

10.根据权利要求9所述的液晶显示器阵列基板，其特征在于，还包括与所述像素电极同层且绝缘的防静电电极，所述防静电电极形成在封框胶区域，并位于数据线上方。