[发明专利]液晶显示器阵列基板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法，特别是一种液晶显示器阵列基板及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)的主体结构包括对盒在一起并将液晶夹设其间的阵列基板和彩膜基板，阵列基板上形成有提供扫描信号的栅线、提供数据信号的数据线以及形成像素点的像素电极，彩膜基板上形成有黑矩阵、彩色树脂和提供公共电压的公共电极。在将阵列基板和彩膜基板对盒在一起的一次性封框胶涂覆工艺中，为了保证阵列基板的公共电极和彩膜基板的公共电极导通，通常在封框胶中掺入一定比例和大小的金球。

图21为现有技术封框胶区域的平面图，图22为图21中E-E向剖面图。阵列基板上涂覆封框胶的区域称之为封框胶区域100，封框胶区域100与阵列基板10上的数据线11有重叠，当阵列基板10和彩膜基板20通过封框胶对盒后，封框胶中掺入的金球30将会分布在封框胶区域100内，尤其是封框胶区域100与数据线11重叠的区域。当后续工艺出现静电时，由于数据线11和金球30的存在，静电将会集中在两个位置：一个是金球30表面，一个是数据线11表面，而根据尖端放电原理，数据线11表面上的静电将会集中在数据线11的边角位置。

实际生产表明，现有技术具有尖锐边角的数据线形状非常容易使静电在数据线边角和金球之间产生静电释放，烧毁钝化层12，造成数据线11和金球30之间发生短路。由于金球30与彩膜基板20的公共电极21直接连接，数据线11和金球30之间的短路导致该位置的数据线11与彩膜基板20的公共电极21导通，显示区域的信号不能被传递，液晶分子不能偏转，出现亮线不良。由于该亮线不良缺陷发生在成盒工艺之后，修复难度很大，修复成功率不高，降低了生产良品率。

发明内容

本发明的目的是提供一种液晶显示器阵列基板及其制造方法，有效解决现有液晶显示器由于数据线和金球之间短路造成的亮线不良缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示器阵列基板的制造方法，包括：

步骤11、在基板上形成包括栅线、栅电极、数据线、源电极、漏电极、TFT沟道区域和钝化层的结构图形；

步骤12、在完成步骤11的基板上形成像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静电电极图形。

为了实现上述目的，本发明还提供了一种液晶显示器阵列基板的制造方法，包括：

步骤21、在基板上形成包括栅线、栅电极和有源层的结构图形；

步骤22、在完成步骤21的基板上形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，其中所述数据线的两侧为防止静电聚集的斜坡状或阶梯状；

步骤23、在完成步骤22的基板上形成包括钝化层和像素电极的结构图形。

所述步骤22可以具体包括：在完成步骤21的基板上沉积源漏金属薄膜；在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光和显影处理，使数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；采用湿法刻蚀工艺对未覆盖光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀，形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，且刻蚀中，沿着源漏金属薄膜从下表面到上表面的厚度方向，横向刻蚀速度逐渐增大，使所述数据线的两侧形成可防止静电聚集的斜坡状；剥离剩余的光刻胶。

所述步骤22也可以具体包括：在完成步骤21的基板上沉积源漏金属薄膜；在所述源漏金属薄膜上涂覆一层光刻胶，通过掩模、曝光和显影处理，使数据线、源电极和漏电极图形区域覆盖有光刻胶；采用干法刻蚀工艺对未覆盖光刻胶的源漏金属薄膜进行刻蚀，形成包括数据线、源电极、漏电极和TFT沟道区域的结构图形，然后通过至少一次的光刻胶灰化、数据线边缘刻蚀工艺，使所述数据线的两侧形成可防止静电聚集的阶梯状；剥离剩余的光刻胶。

在上述技术方案基础上，所述步骤23具体包括：在完成步骤22的基板上形成钝化层图形；在形成像素电极图形的同时，在封框胶区域内形成防静电电极图形，所述防静电电极与像素电极绝缘，并位于数据线上方。

为了实现上述目的，本发明提供了一种液晶显示器阵列基板，包括形成在像素区域内的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，还包括与所述像素电极同层且绝缘的防静电电极，所述防静电电极形成在封框胶区域，并位于数据线上方。