[发明专利]一种磷化镓多晶合成方法有效
申请号: | 200810118931.6 | 申请日: | 2008-08-26 |
公开(公告)号: | CN101660207A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 王文山;王琦;俞斌才;林泉 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司 |
主分类号: | C30B29/44 | 分类号: | C30B29/44 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱丽华 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 磷化 多晶 合成 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种加热合成工艺,具体地说,是涉及一种磷化镓多晶合成方 法。
背景技术
磷化镓单晶的拉制来源于合成的磷化镓多晶。而磷化镓多晶的合成是在密 封的石英反应管中进行的。在合成磷化镓多晶的过程中,石英反应管因为磷的 气化会产生较大气压,目前一般的做法是通过控制石英反应管外的气压来使石 英反应管内外气压达到平衡,从而不至于炸管。然而,目前在传统合成磷化镓 多晶的过程中通常采用超高频加热方式,这种加热方式采用了高频振荡管,该 高频振荡管的输出振荡电压到达了7000~8000V,输出频率达到了200~ 300kHz,随之会产生较强的电磁辐射,对人体健康造成危害。并且,从实践可 以看出,这种传统超高频加热合成磷化镓多晶方法容易出现炸管情况,合成的 磷化镓多晶透明度较低,而且在高温高湿的环境下容易出现电极打火的情况, 高频振荡管也容易损坏。
发明内容
本发明的目的在于提供一种磷化镓多晶合成方法,该方法可以减少磷化镓 多晶合成过程中的炸管次数,而且不会产生电极打火现象,不会对人体健康造 成危害。
为了达到上述目的,本发明采用了以下技术方案:
一种磷化镓多晶合成方法,其特征在于:该方法采用中高频加热方式合成 磷化镓,包括步骤:
步骤1:在合成炉室内充入氮气5~10巴后加热,并使合成炉室内氮气的 压力维持在20~30巴的范围内;
步骤2:将磷炉升温至480~520℃的范围内,将后炉升温至700~800℃的 范围内,将感应线圈中通入的电流上升到40~150A的范围内,感应线圈的输 出电压控制在5~15V且频率调制到10~20KHz的范围内,以使感应区域升温;
步骤3:确认磷炉、后炉的温度升到设定温度范围内并稳定,以及感应线 圈中的电流、感应线圈的输出电压及其频率达到设定范围内并稳定后,以6.5 厘米/小时的速度在感应线圈内移动石英反应管,同时以10~35℃/小时的升温 速率对磷炉进行升温,以实施磷化镓的合成过程;
步骤4:经过4小时的磷化镓合成过程后,缓慢将感应线圈频率从最高值 降低到零,将合成炉室卸压。
所述磷化镓多晶合成方法还包括:确认合成炉室卸压后,打开炉盖,取出 石英反应管,将石英反应管放入水中打破,取出石墨管,并锯开石墨管,将石 墨管内合成的磷化镓多晶锭表面打磨光亮。
将所述感应线圈中的电流上升到40~150A所用时间为50~60分钟。
将所述感应线圈频率从最高值降低到零所用时间为小于1小时。
本发明具有如下特点:
1、由于本发明磷化镓多晶合成方法采用中高频加热方式合成磷化镓,感 应线圈输出电压只有5~15伏特,频率只有10~20KHz,因此,本发明极大减 少了磷化镓多晶合成过程中的炸管次数,提高了磷化镓多晶的出炉率和质量, 与传统磷化镓多晶合成方法相比,每炉产出的磷化镓多晶的合格率提高了5%。
2、由于本发明磷化镓多晶合成方法采用中高频加热方式合成磷化镓,感 应线圈输出电压只有5~15伏特,因此,在高温高湿的环境下,电极打火的现 象也不易出现。
3、由于本发明磷化镓多晶合成方法中使用的频率只有10~20KHz,因此, 不会产生强电磁辐射,人体健康不会受到危害。
本发明磷化镓多晶合成方法采用中高频加热方式合成磷化镓,极大减少了 磷化镓多晶合成过程中的炸管次数,提高了磷化镓多晶的出炉率和质量,不易 产生电极打火现象,也不会产生强电磁辐射,不会影响人体健康。
附图说明
图1是本发明磷化镓多晶合成方法的实现流程图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步描述。
如图1所示,本发明磷化镓多晶合成方法包括步骤:
步骤1:在合成炉室内充入氮气5~10巴(bar)后加热,并使合成炉室内 氮气的压力维持在20~30巴的范围内。
步骤2:将磷炉升温至480~520℃的范围内,将后炉升温至700~800℃的 范围内,将感应线圈中通入的电流上升到40~150A的范围内且频率调制到 10~20KHz的范围内,以使感应线圈内的感应区域升温。一般,将感应线圈中 的电流上升到40~150A范围内所用的时间为50~60分钟。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司,未经北京有色金属研究总院;国瑞电子材料有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810118931.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:改进的电子点火锁
- 下一篇:像素阵列及其驱动方法以及平面显示器