[发明专利]液晶显示器面板和掩模板有效
申请号: | 200810119136.9 | 申请日: | 2008-08-27 |
公开(公告)号: | CN101661220A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 吕敬 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14;G03F1/00;G02F1/1362;G02F1/133 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘 芳 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 液晶显示器 面板 模板 | ||
技术领域
本发明涉及液晶显示器制造领域,尤其涉及一种液晶显示器面板和掩模 板。
背景技术
随着薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display, 以下简称:TFT-LCD)技术的迅猛发展,TFT-LCD面板的尺寸也不断增大, 各TFT-LCD的厂家纷纷斥巨资建设新的高世代生产线,以生产出更大尺寸的 面板。但是,新建一条新的生产线,特别是更高世代的生产线,需要巨大的 投资,且具有很大的风险,因此,在目前的生产线上开发及部分生产较大尺 寸的面板成为解决上述问题的一个行之有效的方法,如图1所示,为采用目 前的生产线生产较大尺寸面板的一示意图,该方法具体为:利用若干个较小 尺寸的掩模板(Mask)进行多次分步曝光,形成较大尺寸的面板,再通过一 定的设计和排布来实现较大尺寸面板的功能。
虽然在较低世代的生产线上采用多次分步曝光的方法可以制造出较大尺 寸的面板,但在两次曝光区域的对接区域(如图1中10所示的区域),经常会出 现由缝合对接(Stitch)和层间覆盖(Overlay)超标引起的一系列问题,这也 是一直以来技术上难以突破的难关。如图2所示,为采用目前的生产线生产 较大尺寸面板的另一示意图,其问题的关键在于,一般的掩模板都将工艺中的 对位标记(Mark)(用图2中的星形来表示)以及对位精度测量检查标记(用 图2中的三角形来表示)设置于有效(Active)区域之外。对于尺寸较小的面 板,由于面板的形成不需要采用掩模板进行多次分步曝光,在工艺过程中,其 对位精度较易控制在设计所需要的范围之内;但对于采用掩模板经过多次分 步曝光形成的较大尺寸的面板,由于掩模板的对位标记和对位精度测量检查 标记设置于有效区域之外,所以较大尺寸面板的对位标记和对位精度测量检 查标记也形成于有效区域之外,这样不能保证较大尺寸面板所有的有效区域, 特别是采用掩模板进行分步曝光的对接区域的对位精度控制在所需要的范围 之内,并且无法对此类区域进行对位精度检查与控制,导致TFT-LCD出现不 良问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种液晶显示器面板和掩模板,使得有效区域的 对位精度控制在所需要的范围之内,避免TFT-LCD出现不良问题。
本发明提供了一种掩模板,包括重复使用区域和非重复使用区域,在所 述重复使用区域和非重复使用区域的有效区域中设置有对位精度测量检查标 记。
本发明提供了一种液晶显示器面板,包括阵列基板和彩膜基板,在所述 阵列基板有效区域的像素区域内形成有对位精度测量检查标记,在所述彩膜 基板上与所述对位精度测量检查标记对应的位置形成有黑矩阵,所述黑矩阵 用于遮挡所述对位精度测量检查标记。
本发明通过采用在有效区域中设置了对位精度测量检查标记的掩模板, 在液晶显示器面板的像素区域内形成了对位精度测量检查标记,有效地解决 了由对位不良而引发的问题,保证了较大尺寸面板所有的有效区域的对位精 度控制在所需要的范围内,避免了TFT-LCD出现不良问题。
附图说明
图1为采用目前的生产线生产较大尺寸面板的一示意图;
图2为采用目前的生产线生产较大尺寸面板的另一示意图;
图3为本发明掩模板一实施例的示意图;
图4为本发明液晶显示器面板一实施例中阵列基板的示意图;
图5为本发明液晶显示器面板实施例中阵列基板一像素结构的示意图;
图6为本发明液晶显示器面板实施例中彩膜基板一像素结构的示意图;
图7为本发明液晶显示器面板实施例中阵列基板另一像素结构的示意 图。
具体实施方式
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
如图3所示,为本发明掩模板一实施例的示意图,该掩模板包括三个区 域,分别为区域21、区域22和区域23,其中区域22为重复使用区域,在一 次光刻工艺中被多次重复使用,区域21和区域23为非重复使用区域,在一 次光刻工艺中仅使用一次。区域21包括有效区域(图中A所示)和非有效 区域(图中A′所示),区域22包括有效区域(图中B所示)和非有效区域 (图中B′所示),区域23包括有效区域(图中C所示)和非有效区域(图 中C′所示)。
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