[发明专利]一种透明导电膜的制备方法

权利要求书

1、一种透明导电膜的制备方法，包括以下步骤：

(a)在透明基板上用有机材料形成图案，其中欲形成透明导电膜处无有机材料，不欲形成透明导电膜处有有机材料；

(b)开启气相沉积源，在该基板上以物理气相沉积方式沉积一层透明导电膜；

(c)开启气相沉积源，在(b)沉积的透明导电膜上以物理气相沉积方式沉积一层透明保护膜；

(d)对该基板进行脱膜处理，即将基板上的有机材料以及其上的透明导电膜和透明保护膜去除。

2、根据权利要求1所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(a)中的有机材料包括油墨和光刻胶。

3、根据权利要求1所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(a)中的有机材料图案可由丝网印刷法或者光刻法制备而成。

4、根据权利要求1所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(a)中的透明基板包括玻璃基板或者柔性基板。

5、根据权利要求1所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(b)中的物理气相沉积方式包括溅射方式和蒸发方式。

6、根据权利要求1所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(b)中的透明导电膜包括In₂O₃:Sn(ITO)、ZnO:Al(AZO)和SnO₂:Sb(ATO)。

7、根据权利要求1所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(c)中的物理气相沉积方式包括溅射方式和蒸发方式。

8、根据权利要求1所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(c)中的物理气相源与基板之间设有金属掩模。

9、根据权利要求1所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(c)中的透明保护膜包括SiO₂和Al₂O₃。

10、根据权利要求1所述的透明导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤(d)中的脱膜处理所用的脱膜液包括丙酮、氢氧化钠溶液和氢氧化钾溶液。