[发明专利]一种透明导电膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种方块电阻低、可见光透过率高的透明导电膜的制备方法。

背景技术

透明导电膜被广泛的应用于触摸屏、液晶等领域。对于透明导电膜的要求是方块电阻要尽可能的低、可见光范围内的透过率要尽可能的高。

然而大多数的透明导电膜在制成以后，其方块电阻会随着暴露于大气中时间的增加而增大。这是因为透明导电膜会与大气中的氧发生氧化反应，氧化后的透明导电膜中的氧空穴减少，从而导致导电性能的下降。

发明内容：

本发明的目的在于提供一种透明导电膜的制备方法。该制备方法能较好的解决透明导电膜在空气中氧化而带来的问题，同时该方法制备出的透明导电膜在可见光范围内具有较高的透过率。

为了实现上述目的，本发明提供的方法包括以下步骤：

(a)在透明基板上用有机材料形成图案，其中欲形成透明导电膜处无有机材料，不欲形成透明导电膜处有有机材料；

(b)开启气相沉积源，在该基板上以物理气相沉积方式沉积一层透明导电膜；

(c)开启气相沉积源，在(b)所述的透明导电膜上以物理气相沉积方式沉积一层透明保护膜；

(d)对该基板进行脱膜处理，即将基板上的有机材料以及其上的透明导电膜和透明保护膜去除。

其中，所述步骤(a)中的有机材料包括油墨和光刻胶。

所述步骤(a)中的有机材料图案可由丝网印刷法或者光刻法制备而成。

所述步骤(a)中的透明基板包括玻璃基板或者柔性基板。

所述步骤(b)中的物理气相沉积方式包括溅射方式和蒸发方式。

所述步骤(b)中的透明导电膜包括In₂O₃：Sn(ITO)、ZnO：Al(AZO)和SnO₂：Sb(ATO)。

所述步骤(c)中的物理气相沉积方式包括溅射方式和蒸发方式。

所述步骤(c)中的物理气相源与基板之间设有金属掩模。

所述步骤(c)中的透明保护膜包括SiO₂和Al₂O₃。

所述步骤(d)中的脱膜处理所用的脱膜液包括丙酮、氢氧化钠溶液和氢氧化钾溶液。

本发明在制备透明导电膜之后随即沉积一层保护膜，因此在沉积保护膜之前透明导电膜并未暴露于空气而氧化。保护膜不仅能较好的防止或减缓透明导电膜的氧化，同时因其具有较高的硬度而具有防划功能、具有较低的折射率而具有减反功能。通过丝网印刷或光刻可获得形状较为复杂、精度要求较高的透明导电膜的图案。通过金属掩模则可以有选择的对不需要沉积保护膜处进行遮掩，如引线接头处。

附图说明

图1是本发明的实施例1中所需制备的透明导电膜的图案示意图；

图2A至图2E是本发明的实施例1中制备的透明导电膜的分步骤示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明作进一步描述。

实施例1：

本实施例所需制备的透明导电膜图案分布如图1所示。黑色的菱形部分2通过引线3引至引线接头4处，其中菱形部分、引线和引线接头为欲形成透明导电膜区域，而引线接头的表层必须为导电层。白色部分1为不欲形成透明导电膜区域。

本实施例的具体步骤如下：

(1)透明导电膜图案的形成

如图2A所示，基板选用PET薄膜21，厚度为188微米，可见光平均透过率为91.1％。以丝网印刷方式在PET的表面形成图案22，印刷的油墨厚度为40微米。其中图案部分为不欲形成透明导电膜的区域，无图案部分为欲形成透明导电膜的区域。

(2)制备透明导电膜

将(1)所述基板置入真空室内，以磁控溅射方式在基板表面沉积一层ITO膜23，其中膜层厚度为15纳米，如图2B所示。

(3)设置掩模

如图2C所示，在(2)所述基板上不欲形成保护膜处(引线接头)24上方设置金属掩膜25。因为引线接头处需与柔性线路板相连，因此其最外层必须导电。保护膜大多为绝缘材料，因此在制备保护膜之前需要用掩模遮盖住引线接头处。引线接头处形状简单，精度要求低，因此可用一般的金属薄片制成掩模。

(4)制备保护膜

以中频反应溅射方式在(3)所述基板上沉积一层SiO₂保护膜26，其中膜层厚度为20纳米，如图2D所示。

(5)脱膜处理