[发明专利]聚吡咯和碳纳米管复合气敏元件及其制作方法

权利要求书

1.聚吡咯和碳纳米管复合气敏元件，其特征在于它具有陶瓷基片(1)，在陶瓷基片表面光刻和蒸发有多对叉指金电极(2)，在叉指金电极上连接有引线(4)，在陶瓷基片和叉指金电极表面涂覆有气敏薄膜(3)，气敏薄膜为聚吡咯和碳纳米管复合物。

2.根据权利要求1所述的聚吡咯和碳纳米管复合物气敏元件，其特征在于陶瓷基片表面的叉指金电极有8～16对，叉指金电极的叉指宽度为20～200μm，叉指间隙为20～200μm。

3.根据权利要求1所述的聚吡咯和碳纳米管复合气敏元件的制作方法，其特征在于：

1)清洗表面光刻和蒸发有叉指金电极的陶瓷基片，烘干备用；

2)将浓硫酸和浓硝酸按体积比3∶7～3∶12混合成混酸溶液加入到碳纳米管中，用量为每g碳纳米管加入100～220ml混酸溶液，得到的混合物经超声处理10～30分钟，在40～60℃下回流1～12h，冷却，过滤，用去离子水清洗至滤液呈中性，得到酸处理的碳纳米管，真空干燥，研磨待用；

3)采用超声处理的方法，将氧化剂、掺杂剂、酸处理碳纳米管分散于水中配制前驱体溶液，氧化剂和掺杂剂的总浓度为10～50mg/ml，酸处理碳纳米管的用量为0.1～2mg/ml；

4)将经步骤1)清洗的陶瓷基片叉指金电极浸渍于前驱体溶液中0.5～2min，提拉取出后，静置晾干，置于吡咯饱和蒸汽中气相聚合1～24h，经无水乙醇、去离子水反复洗涤后，真空干燥，即可。

4.根据权利要求3所述聚吡咯和碳纳米管复合气敏元件的制作方法，其特征在于所说的叉指金电极的叉指宽度为20～200μm，叉指间隙为20～200μm。

5.根据权利要求3所述聚吡咯和碳纳米管复合气敏元件的制作方法，其特征在于所说的氧化剂为过硫酸铵或三氯化铁。

6.根据权利要求3所述聚吡咯和碳纳米管复合气敏元件的制作方法，其特征在于所说的掺杂剂为三氯化铁、十二烷基苯磺酸钠或对甲苯磺酸钠。