[发明专利]一种基于单晶硅片检测红外光谱仪稳定性的方法

权利要求书

1.一种基于单晶硅片检测红外光谱仪稳定性的方法，其特征在于：

1)开启红外光谱仪，待稳定后，在500～2000cm^-1谱区对双面抛光的直拉单晶硅片进行多次重复红外光谱测试，硅片厚度为2～5mm，重复测试次数为4或5次，扫描模式为透射，扫描次数为32或64次，分辨率为2或4cm^-1，最终得到了多个重复测试的红外光谱；

2)以第一个光谱为基准光谱，其他的光谱与基准光谱做差谱，即其他光谱的纵坐标为吸光度与基准光谱对应吸光度相减，横坐标为波数保持不变，即可得到一系列的差谱；

3)通过分析差谱，可精确探测到上述多个红外光谱横坐标、纵坐标的偏移程度，横坐标反映波数偏移，纵坐标反映吸光度偏移，根据偏移情况判断该红外光谱仪的稳定性，波数偏移主要通过差谱中间隙氧原子1107cm^-1处吸收峰形成的“S”形来判断，吸光度偏移通过差谱纵向变化来判断；

4)若需要比较多个型号红外光谱仪的稳定性，应选择相同的硅片、重复次数、扫描次数、分辨率测试参数，通过对比差谱，比较它们的稳定性；

所述的红外光谱仪是指傅立叶变换红外光谱仪。