[发明专利]材料成膜装置、制备方法及其制备的有机电致发光器件

说明书

技术领域

本发明涉及一种材料成膜方法，特别涉及一种蒸镀材料成膜方法，及采用该方法制备的有机电致发光器件。 

背景技术

真空镀膜技术作为薄膜制备的一种重要手段，在现代微电子技术和微器件制备中占有特殊重要的地位，这种技术指的是在真空环境下利用物理或化学手段将物质沉积在载体表面的一种工艺。一般将真空镀膜技术分为两大类：一类是物理气相沉积，称为PVD：另一类是化学气相沉积，称为CVD。其中“物理气相沉积”，是利用物理过程将物质沉积在某种载体的表面，方法有很多，其中最简单最常用的就是热蒸镀，即利用物质受热后的蒸发或升华将其转化为气态再沉积在基片表面。目前，常用的热蒸镀方法有电阻加热型及电子束(E-beam)加热型。 

电阻加热型真空镀膜原理： 

将膜材放置与真空腔室中，通过蒸镀源加热使其蒸发，蒸汽的原子或分子从蒸镀源的表面溢出，接触到被镀工件的表面，凝结之后形成薄膜。 

电阻加热型蒸镀源实际是一种电阻加热器，它利用电阻丝通电后产生的焦耳热获得高温，以此来融溶膜材来达到蒸发的目的。此装置结构简单，操作方便，易于获得，被广泛应用。 

电子束(E-beam)加热型真空镀膜原理 

电子束的原理是利用电子在电场中，被电场加速而获得动能打到膜材上，使膜材加热气化，从而实现蒸发镀膜。 

电子束加热源的优点：获得远比电阻热源大的多的能量密度，数值可达104-109W.cm-2因此可以将膜材加热到3000度以上；热量直接加热到膜材表面上，热效率高，热传导和热辐射损失少；可以获得高纯度的膜层。 

在OLED器件阴极薄膜制备过程中，可以采用上述两种方式来制备薄膜。但如果单纯采 用上述两种工艺的某一种，会因为其工艺的一些特点导致一些问题无法解决。单一的电子束工艺在OLED器件的阴极薄膜制备过程中会产生一些颗粒较大的金属颗粒，造成OLED器件的性能缺陷，产生废品。而单一的电阻加热工艺会因为其蒸镀速率缓慢，影响尘产效率，且其膜层的结合力不佳。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种蒸镀速度相对较快，不影响成膜器件性能的材料成膜装置。 

本发明的另一目的在于提供一种采用所述材料成膜装置制备薄膜的方法。 

本发明的再一目的在于提供一种采用所述材料成膜装置及其工艺方法制备的有机电致发光器件。 

本发明的目的是通过以下技术方案予以实现的：本发明之材料成膜装置包括蒸镀腔室，所述蒸镀腔室内设有蒸镀源及蒸镀基体放置机构；所述蒸镀源设有至少两个，其特征在于，所述蒸镀源至少一个为电阻加热蒸镀源，至少一个为电子束加热蒸镀源。 

所述电阻加热蒸镀源及电子束加热蒸镀源分居所述蒸镀基体放置机构下方。 

所述电阻加热蒸镀源及电子束加热蒸镀源上设置用于阻挡蒸镀材料的挡板。 

所述蒸镀腔室内还设有磁控溅射源。 

所述电阻加热蒸镀源、电子束加热蒸镀源及磁控溅射源分居所述蒸镀基体放置机构下方。 

所述电阻加热蒸镀源数量为1-10个，所述电子束加热蒸镀源数量为1-10个，所述磁控溅射源数量为1-10个。 

本发明的另一目的是通过以下技术方案予以实现的：本发明之采用所述的材料成膜装置制备薄膜的方法，其特征在于，包括如下步骤： 

(1)开启电阻加热蒸镀源，制备薄膜第一膜层； 

(2)关闭电阻加热蒸镀源，开启电子束加热蒸镀源，制备薄膜第二膜层。 

所述步骤(2)可为关闭电阻加热蒸镀源，开启磁控溅射源，制备薄膜第二膜层。 

所述薄膜为同一材料。 

所述薄膜材料为Al、Ag、Cu、Mg、Ca或其合金。 

所述步骤(2)中关闭电阻加热蒸镀源后，开启电子束加热蒸镀源前，需将电阻加热蒸镀 源上的挡板关闭，阻止该蒸镀源内材料的蒸发。 

本发明的再一目的是通过以下技术方案予以实现的：本发明之采用所述的制备方法制备的有机电致发光器件，其特征在于，所述器件阴极为双层结构——第一膜层及第二膜层。 

所述器件阴极双层结构材料可以相同。 

所述器件阴极第一膜层为电阻加热蒸镀源制备，器件阴极第二膜层为电子束加热蒸镀源制备或磁控溅射源制备。 

所述器件阴极为Al、Ag、Cu、Mg、Ca或其合金。 

所述器件阴极双层结构可为两种不同材料。