[发明专利]基片处理装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2007年6月18日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请2007-59217的优先权，该申请的内容通过引用全部并入本文。

技术领域

本发明涉及基片处理装置。更具体地，本发明涉及用于在硅晶片之类的基片上进行涂层、烘烤和显影处理的装置。

背景技术

在半导体处理工艺中，光致抗蚀剂图样可作为蚀刻掩膜用于蚀刻处理，该蚀刻处理形成具有电特性的电路图形。光致抗蚀剂图形可由基片处理装置形成，或由与曝光装置相连的光致抗蚀剂图形形成装置形成。

基片处理装置包括用于在基片上形成抗反射底涂层(BARC层)和光致抗蚀剂层的涂层单元、用于固化BARC层和光致抗蚀剂层的加热单元、用于在经曝光处理的基片上进行曝光后烘烤(PEB)处理的加热单元、用于在经曝光处理的光致抗蚀剂层上进行显影处理的显影单元、用于对形成在基片上的光致抗蚀剂图形进行固化的加热单元、用于冷却被加热单元加热的基片的冷却单元、以及用于容置基片的传送台等等。

基片传送自动机械可设置在处理单元之间，并根据预设的工艺方案传送处理单元之间的基片。

但是，由于这些单元处理所需的时间各不相同，会增加基片在处理单元或传送台中的等待时间，晶片传送自动机械可能超载。

还有，根据工艺方案、光致抗蚀剂组合物、所需的光致抗蚀剂图形的宽度等等，可能不采用BARC层。因此，一些涂层单元是不必要的。

因此，基片处理装置的处理能力受到损失，从而，需要一种改进的基片处理装置以解决上述问题。

发明内容

本发明的实施例提供一种处理能力提高的基片处理装置。

根据本发明的一个方面，一种基片处理装置，包括：在基片上进行涂层处理和显影处理的第一处理区块；和与所述第一处理区块相对的第二处理区块，用以对所述基片进行热处理。所述第一处理区块包括：上单元区块，其包括至少一个在所述基片上形成层的涂层单元和至少一个在所述基片上显影光致抗蚀剂层的显影单元中的一个；下单元区块，其包括至少一个涂层单元和至少一个显影单元中的另一个；及可拆卸地位于所述上、下单元区块之间的中间单元区块，其包括涂层单元和显影单元中的至少一个。

本发明的一些实施例中，所述上单元区块包括用于形成抗反射底涂层(BARC层)的第一涂层单元和用于形成光致抗蚀剂层的第二涂层单元。

本发明的一些实施例中，所述上单元区块包括用于在所述基片上形成光致抗蚀层的多个涂层单元。

本发明的一些实施例中，所述第二处理区块包括呈水平方向的并与所述第一处理区块相对的第一、第二和第三单元区块。所述第二单元区块包括以多层形式设置在所述第一和第三单元区块之间的多个热处理单元以对所述基片进行热处理。各热处理单元包括：加热所述基片的加热板；位于所述加热板的、与所述第一、第二和第三单元区块的设置方向平行的一侧的冷却板，用以冷却所述基片；和容纳所述加热板和冷却板、且具有一对运入和运出所述基片的门的热处理室。

本发明的一些实施例中，各所述热处理单元还包括：位于所述热处理室内的室内自动机械，用以在所述加热板和所述冷却板之间传送所述基片；及垂直向可移动地穿过各所述加热板和冷却板的提升销，用以将所述基片装载至所述加热板和冷却板上并从所述加热板和冷却板卸载所述基片。

本发明的一些实施例中，所述室内自动机械包括：与所述加热板和所述冷却板的设置方向平行延伸的导轨；及与所述导轨可移动地连接并以与所述导轨垂直的方向延伸的机械手。

本发明的一些实施例中，第一和第三单元区块各包括以多层形式设置的多个加热单元，用于加热所述基片。

本发明的一些实施例中，所述装置还包括位于所述第一和第二处理区块之间的基片传送区块，用于传送所述基片。

本发明的一些实施例中，所述基片传送区块包括：上传送自动机械，用于在所述上单元区块、所述中间单元区块和所述第二处理区块之间传送所述基片；和下传送自动机械，用于在所述下单元区块、所述中间单元区块和所述第二处理区块之间传送所述基片。

本发明的一些实施例中，各所述上、下传送自动机械包括：垂直延伸的一对垂直导轨；与所述垂直导轨连接以垂直移动的水平导轨；及与所述水平导轨连接以水平移动的机械手，该机械手能旋转、伸展和收缩，以传送所述基片。

本发明的一些实施例中，所述上传送自动机械的垂直导轨及所述下传送自动机械的垂直导轨分别靠近所述第一处理区块和所述第二处理区块。

本发明的一些实施例中，所述上传送自动机械的机械手朝下设置，而所述下传送自动机械的机械手朝上设置。