[发明专利]静电放电保护装置

权利要求书

1.一种形成在第一导电型(FCT)衬底中的静电放电保护装置，并且包 括：

输入/输出端结构，其包括：

形成在所述衬底中的第二导电型(SCT)的第一阱区；

形成在所述第一阱区中的第一SCT区和形成在所述第一阱区中并 与所述第一SCT区隔开的第一FCT区，所述第一SCT区和所述第一 FCT区连接到输入/输出端；和

形成为与所述第一阱区和所述衬底相接触的SCT的桥接区； 电流放电结构，其包括：

形成在所述衬底中并通过栅极电极与所述桥接区分离的第二SCT 区；

形成在所述第二SCT区下面的衬底中的SCT的第二阱区；

形成在所述衬底中并通过形成在所述衬底中的第二FCT区与所述 第二阱区分离的SCT的第三阱区；

被分隔开并形成在所述第三阱区中的第三SCT区、第三FCT区和 第四SCT区；和

形成在与所述第二FCT区相对的第三阱区的一侧上的衬底中的第 四FCT区。

2.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其中所述第三FCT区和所 述第二SCT区被电连接，并且

所述栅极电极、所述第三和第四SCT区以及所述第四FCT区连接到电 源电压。

3.如权利要求1所述的静电放电保护装置，其中所述第二和第三SCT 区以及所述第三FCT区被电连接，并且

所述栅极电极、所述第四SCT区和所述第四FCT区连接到电源电压。

4.如权利要求1所述的静电放电保护装置，还包括：

将所述第一FCT区与所述第一SCT区和所述桥接区分离的各个绝缘区。

5.如权利要求4所述的静电放电保护装置，还包括：

分离所述第二阱区与所述第二FCT区的绝缘区；

分离所述第三阱区与所述第二FCT区的绝缘区；

在所述第三阱区中将所述第三FCT区与所述第三SCT区分离的绝缘区；

在所述第三阱区中将所述第四SCT区与所述第三FCT区分离的绝缘区； 和

分离所述第四FCT区与所述第四SCT区的绝缘区。

6.一种形成在第一导电型(FCT)的衬底中的多指静电放电保护装置， 包括：

置于第一和第二电流放电结构之间的中心的公共的输入/输出端结构， 其中所述输入/输出端结构包括：

形成在所述衬底中的第二导电型(SCT)的第一阱区；

形成在第一阱区中的第一SCT区；

形成在所述第一阱区中并在所述第一SCT区的相对侧上间隔开的 双第一FCT区，所述第一SCT区和所述双第一FCT区连接到输入/输出 端；和

形成为与所述第一阱区和所述衬底相接触并通过一个所述双第一 FCT区与所述第一SCT区分别分离的SCT的双桥接区；

其中所述第一和第二电流放电结构的每一个包括：

形成在所述衬底中并通过栅极电极与各个双桥接区分离的第二 SCT区；

形成在所述第二SCT区下面的衬底中的SCT的第二阱区；

形成在所述衬底中并通过形成在所述衬底中的第二FCT区与所 述第二阱区分离的SCT的第三阱区；

被分隔开并形成在所述第三阱区中的第三SCT区、第三FCT区和 第四SCT区；

形成在与所述第二FCT区相对的第三阱区的一侧的衬底中的第四 FCT区；和

电藕接所述第一和第二电流放电结构的各个第二FCT区的耦合连 接器。

7.如权利要求6所述的多指静电放电保护装置，其中，在所述第一和 第二电流放电结构的每一个中，所述第三FCT区和所述第二SCT区被电连 接，并且

所述栅极电极、所述第三和第四SCT区和所述第四FCT区连接到电源 电压。