[发明专利]快闪存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200810126215.2 | 申请日： | 2008-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN101471250A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 李在重 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/423;H01L29/49;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘继富;顾晋伟 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造快闪存储器件的方法，所述方法包括：
在半导体衬底上形成隧道介电层和未掺杂的非晶硅层；
实施退火工艺以使所述未掺杂的非晶硅层的表面结晶使得形成结晶硅 层；
在所述结晶硅层上形成掺杂的结晶硅层，使得形成具有所述未掺杂的 非晶硅层、所述结晶硅层和所述掺杂的结晶硅层的浮置栅极；
实施第一蚀刻工艺以图案化所述掺杂的结晶硅层；和
实施第二蚀刻工艺以除去在所述结晶硅层上的所有氧化物层；和实施 第三蚀刻工艺以图案化所述结晶硅层和所述未掺杂的非晶硅层。
2.根据权利要求1所述的方法，包括将所述未掺杂的非晶硅层形成为 200～400埃的厚度。
3.根据权利要求1所述的方法，包括将所述结晶硅层形成为1～50埃的 厚度。
4.根据权利要求1所述的方法，包括将所述掺杂的结晶硅层形成为300～ 700埃的厚度。
5.根据权利要求1所述的方法，包括使用干蚀刻工艺实施所述第一、第 二和第三蚀刻工艺。
6.根据权利要求1所述的方法，包括通过使用包含HBr和O2的混合气 体或包含HBr、Cl2和O2的混合气体产生等离子体来实施所述第一蚀刻工 艺和所述第三蚀刻工艺。
7.根据权利要求1所述的方法，包括通过使用氟(F)气体或含氟(F) 气体产生等离子体来实施所述第二蚀刻工艺。
8.根据权利要求7所述的方法，包括通过使用含C2F6、C3F8、C4F8、C5F8、 SF6或NF3的气体产生等离子体实施所述第二蚀刻工艺。
9.根据权利要求1所述的方法，还包括在实施所述第一蚀刻工艺之前，实 施第四蚀刻工艺以除去在所述掺杂的结晶硅层上的氧化物层。
10.根据权利要求9所述的方法，包括使用通过采用氟(F)气体或含氟(F) 气体产生等离子体的干蚀刻工艺来实施所述第四蚀刻工艺。
11.根据权利要求10所述的方法，包括使用通过采用包含C2F6、C3F8、 C4F8、C5F8、SF6或NF3的气体产生等离子体的干蚀刻工艺来实施所述第 四蚀刻工艺。
12.一种快闪存储器件，包括：
在半导体衬底上形成的隧道介电层；
具有未掺杂的非晶硅层、结晶硅层和掺杂的结晶硅层的浮置栅极；和
沿所述浮置栅极的表面形成的介电层；和
在所述介电层上形成的控制栅极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
