[发明专利]NOR闪存装置及制造该装置的方法

权利要求书

1.一种NOR闪存装置，包括：

衬底，具有导电区域；

第一金属间电介质层，在所述衬底上形成；

第一金属线，在所述导电区域上形成；

第二金属间电介质层，在所述第一金属线和所述第一金属间电介质上形成；

第一接触部，延伸通过所述第二金属间电介质层；以及

第二金属线，通过所述第一接触部连接至所述第一金属线，

其中，所述第一接触部和所述第一及第二金属线中的至少一个是由铜组成的，并且所述第一和第二金属间电介质层中的至少一个是由低电介质材料组成的，

其中，所述第一和第二金属间电介质层中的至少一个包括多层结构，

其中，所述多层结构包括：

低k电介质材料层；以及

TEOS氧化层，在所述低k电介质材料层上形成。

2.根据权利要求1所述的NOR闪存装置，进一步包括：

第三金属间电介质层，在所述第二金属线和所述第二金属间电介质层上形成；

第二接触部，延伸通过所述第三金属间电介质层；以及

第三金属线，通过所述第二接触部连接至所述第二金属线，

其中，所述第二接触部由铜组成，并且所述第三金属间电介质层包含低k电介质材料。

3.根据权利要求2所述的NOR闪存装置，其中，所述第三金属线由铜和铝中的至少一种组成。

4.根据权利要求2所述的NOR闪存装置，还包括：

第一扩散壁垒层，在所述第一金属线和所述第二金属间电介质层之间形成；以及

第二扩散壁垒层，在所述第二金属线和所述第三金属间电介质层之间形成。

5.根据权利要求4所述的NOR闪存装置，其中，所述第一扩散壁垒层和所述第二扩散壁垒层均由多层结构组成。

6.根据权利要求5所述的NOR闪存装置，其中，所述第三扩散壁垒层由TiSiN组成。

7.根据权利要求6所述的NOR闪存装置，其中，所述多层结构包括2-4个之间的层。

8.根据权利要求7所述的NOR闪存装置，其中，每一层的厚度在至之间。

9.根据权利要求2所述的NOR闪存装置，其中，所述第三金属间电介质层包括：

低k电介质材料层；以及

TEOS氧化层，在所述低k电介质材料层上形成。

10.一种制造NOR闪存装置的方法，包括：

在衬底中形成导电区域；然后

在所述衬底上形成第一金属间电介质层，所述第一金属间电介质层具有暴露所述导电区域的沟槽；然后

在所述沟槽中形成第一金属线；然后

在所述第一金属线和所述第一金属间电介质层上形成第二金属间电介质层，所述第二金属间电介质层具有暴露所述第一金属线的孔；然后

在所述孔中形成第一接触部和第二金属线，

其中，所述第一接触部和所述第一及第二金属线中的至少一个是由铜组成的，并且所述第一和第二金属间电介质层中的至少一个是由低k电介质材料组成的，

其中，形成所述第一金属间电介质层包括：

在所述衬底上形成第一低k电介质材料层；然后

在所述低k电介质材料层上形成第一TEOS氧化层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，通过嵌入处理形成所述第一接触部和所述第二金属线。

12.根据权利要求10所述的方法，还包括：在形成所述第一接触部和所述第二金属线之后：

在所述第二金属线和所述第二金属间电介质层上形成第三金属间电介质层，所述第三金属间电介质层具有暴露所述第二金属线的通孔；然后

在所述通孔中形成第二接触部；然后

形成连接至所述第二接触部的第三金属线，

其中，所述第二接触部是由铜组成的，并且所述第三金属间电介质层是由低k电介质材料组成的。