[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

半导体层，具有形成有非易失性存储器的区域；

第一层间绝缘层，在所述半导体层的所述区域的上面形成；

第一布线层，形成于所述第一层间绝缘层的上面；

第二层间绝缘层，形成于所述第一布线层的上面；

第二布线层，与所述第一布线层电连接，形成于所述第 二层间绝缘层的上面；

第三层间绝缘层，形成于所述第二布线层的上面；

多个第一遮光层，位于所述第三层间绝缘层的上面，且 形成于所述区域的上面；

第四层间绝缘层，形成于所述第一遮光层的上面；以及

多个第二遮光层，形成于所述第四层间绝缘层的上面，

其中，多个所述第二遮光层位于多个所述第一遮光层的 相互之间，并设置成与所述第一遮光层部分地重叠。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，包括：

通路层，在所述第一遮光层与所述第二遮光层之间形成， 并连接于所述第一遮光层以及所述第二遮光层，

所述通路层设置于与所述第一遮光层和所述第二遮光层 重叠的位置。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述区域包括元件分离绝缘层。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述非易失性存储器是单栅型的存储器。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述非易失性存储器具有由一层导电层构成的浮置栅极。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体层具有第一势阱以及第二势阱，

所述非易失性存储器包括：

形成在所述半导体层的所述第一势阱上的第一扩散层、 第一源极区及第一漏极区、第二源极区及第二漏极区；

形成在所述半导体层的所述第二势阱上的第三源极区以 及第三漏极区；以及

在所述第一扩散层、第一源极区及第一漏极区、第二源 极区及第二漏极区的上面形成的浮置栅极。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，

所述第一势阱为P型，

所述第二势阱为N型，

所述第一漏极区及第一源极区为N型，

所述第二漏极区及第二源极区为N型，

所述第三漏极区及第三源极区为P型。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述非易失性存储器为多栅型非易失性存储器。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述区域为存储单元阵列。