[发明专利]半导体装置

说明书

本申请是申请号为200510102540.1、申请日为2005年9月8日、发明名称为半导体装置的申请的分案申请。 

技术领域

本发明涉及一种半导体装置，该半导体装置包括通过接收光可能会使特性改变的半导体器件。 

背景技术

作为接收到光后可能会使特性改变的半导体器件，可以列举出MOS晶体管及具有浮置栅的非易失性存储器等。这些半导体器件尤其是在采用裸芯片等的COG安装法进行安装的情况下，通常会受到光的照射，如果是MOS晶体管的话，会引起其导通/截止的特性改变，而如果是非易失性存储器的话，会使注入到其浮置栅极中的电子丢失。为了防止半导体器件的这种特性的变化，在设有这些装置的区域的上面，通常都会设置用于防止光照射的遮光层。 

特开平11-288934号公报中披露了一种运用遮光层的技术。在该特开平11-288934号公报中，将覆盖半导体器件的遮光层设置在不同的表面上，并且这两个遮光层由接触层来连接。 

但是，为了提高遮光效果，仅仅在避免受到光照射的区域上面设置遮光层，难以完全地将光遮挡住，所以需要形成能够在一个较广的范围内覆盖其外延的遮光层。这样一来，就不能缩小遮光层的 面积，进而阻碍了半导体装置的微型化的实现。此外，当希望保护的区域的面积过大时，由于受设计规则的限制，仅用一层遮光层不能将其完全地覆盖。 

发明内容

本发明的目的在于提供一种遮光效果好，可靠性高，进而还能有助于实现半导体装置的微型化的半导体装置。 

本发明的半导体装置包括：半导体层，具有形成有非易失性存储器的区域；第一层间绝缘层，在半导体层的所述区域的上面形成；第一布线层，形成于第一层间绝缘层的上面；第二层间绝缘层，形成于第一布线层的上面；第二布线层，与第一布线层电连接，形成于第二层间绝缘层的上面；第三层间绝缘层，形成于第二布线层的上面；多个第一遮光层，位于第三层间绝缘层的上面，且形成于区域的上面；第四层间绝缘层，形成于第一遮光层的上面；以及多个第二遮光层，形成于第四层间绝缘层的上面，其中，多个第二遮光层位于多个第一遮光层的相互之间，并设置成与第一遮光层部分地重叠。 

根据本发明的半导体装置，半导体器件由设置在其上面的第一遮光层和设置在与第一遮光层不同水平面上的第二遮光层覆盖。因此，半导体器件不会暴露在光之下，从而能够提供一种不会引起特性的改变、且可靠性高的半导体装置。尤其，在所要遮光的面积很大的情况下，可能存在用一层金属层无法覆盖的问题。但是，根据本发明的半导体装置，通过使用多层位于不同水平面的金属层，并使它们交错地配置，从而即使在遮光区域很大的情况下也能完全地进行覆盖，因此能够提供一种可靠性得到提高的半导体装置。 

本发明的半导体装置还可以采用下述的方式。 

在本发明的半导体装置中，该被遮光区域可以被第一金属层和第二遮光层中的至少一方覆盖。 

根据这种方式，被遮光区域被第一遮光层和第二遮光层中的至少一方覆盖，因而能够防止使受到光照射后会发生特性改变的半导体装置照射到光。 

在本发明的半导体装置中，该第二遮光层可以具有至少包含该第一遮光层的反转形状的图案。 

根据这种方式，被遮光区域被第一遮光层和第二遮光层中的至少一方覆盖，因而能够防止接收到光。 

在本发明的半导体装置中，该第一遮光层和该第二遮光层中的至少一方可以在该被遮光区域内具有设计规则所允许的最大尺寸。 

在此说到的最大尺寸除了包括整个第一遮光层具有最大尺寸的情况以外，还包括局部具有最大尺寸的情况。 

在本发明的半导体装置中，该第二遮光层与所述第一遮光层部分重叠地设置。 

根据这种方式，通过使第二遮光层和第一遮光层在被遮光区域的上面部分地重叠，从而能够进一步提高遮光效果。 

在本发明的半导体装置中，该第一遮光层可以是布线层。 

在本发明的半导体装置中，该第二遮光层可以是布线层。 

在本发明的半导体装置中，还可以设置连接该第一遮光层和该第二遮光层的通路层。 

根据这种方式，连接了第一遮光层和第二遮光层的通路层能够防止光从横向进入，并且能够进一步提高遮光效果。因此，能够提供一种可靠性提高了的半导体装置。 

在本发明的半导体装置中，该通路层可以设置在该第一遮光层和该第二遮光层相重叠的部分上。