[发明专利]半导体器件无效
申请号: | 200810126820.X | 申请日: | 2008-06-24 |
公开(公告)号: | CN101335249A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 宗像浩次 | 申请(专利权)人: | 株式会社藤仓 |
主分类号: | H01L23/485 | 分类号: | H01L23/485 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,具有半导体基板和构造体,该半导体基板的一面被第一绝缘部覆盖,该构造体包括:第一导电部,配置在上述半导体基板的一面上;第二绝缘部,重叠配置在上述第一绝缘部上,具有使上述第一导电部露出的第一开口部;第二导电部,重叠配置在上述第二绝缘部上,通过上述第一开口部与上述第一导电部电连接;第三绝缘部,重叠配置在上述第 二导电部上,具有使上述第二导电部的一部分露出的第二开口部;以及端子,配置在上述第二开口部上;
在上述半导体基板上配置有多个上述构造体;
在上述构造体中的位于邻接位置的至少一组构造体之间,配置有第三开口部,该第三开口部贯通上述第二绝缘部和上述第三绝缘部,并使上述第一绝缘部露出,
上述第二导电部重叠配置在上述第二绝缘部上,在上述第二绝缘部的上述第一开口部中上述第二导电部与上述第一导电部电连接。
2.根据权利所述1的半导体器件,其特征在于,
上述第三开口部形成为:使位于相互邻接位置的上述构造体之间的至少一部分分离。
3.根据权利要求2所述的半导体器件,其特征在于,
上述第三开口部以下述方式形成:从上方观察上述半导体器件时,上述构造体呈包围上述端子的独立的岛状。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于,
邻接的上述构造体彼此相连,并且配置在上述构造体之间的上述第三开口部相互独立地形成。
5.一种半导体器件,具有一面被第一绝缘部覆盖的半导体基板、和配置在上述半导体基板上的多个构造体;
上述构造体包括:第一导电部,配置在上述半导体基板的一面上;第二绝缘部,重叠配置在上述第一绝缘部上,具有使上述第一导电部露 出的第一开口部;第二导电部,重叠配置在上述第二绝缘部部上,通过上述第一开口部与上述第一导电部电连接;第三绝缘部,重叠配置在上述第二导电部上,具有使上述第二导电部的一部分露出的第二开口部;以及端子,配置在上述第二开口部上;
在上述构造体中的位于邻接位置的至少一组构造体之间,配置有第三开口部,该第三开口部贯通上述第二绝缘部,使上述第一绝缘部露出;
第三绝缘部绵延在位于邻接位置的至少一组构造体之间,并覆盖上述第三开口部,
上述第二导电部重叠配置在上述第二绝缘部上,在上述第二绝缘部的上述第一开口部中上述第二导电部与上述第一导电部电连接。
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