[发明专利]寻址驱动器及其制作方法和采用该寻址驱动器的显示装置

权利要求书

1.一种寻址驱动器，其包括：

能量恢复电路；和

输出级，其连接到所述能量恢复电路，所述输出级包括串联的上拉MOS晶体管和下拉MOS晶体管，

其中所述上拉MOS晶体管的源端连接到所述能量恢复电路，并且所述上拉MOS晶体管的体端连接到为所述上拉MOS晶体管的源端和体端之间提供反向偏压的结点。

2.如权利要求1所述的寻址驱动器，其中所述上拉MOS晶体管是p-沟道MOS晶体管并且所述下拉MOS晶体管是n-沟道MOS晶体管。

3.如权利要求2所述的寻址驱动器，其中所述上拉MOS晶体管的漏端电连接到所述下拉MOS晶体管的漏端以形成所述输出级的输出端。

4.如权利要求2或3所述的寻址驱动器，其中所述下拉MOS晶体管的源端接地。

5.如权利要求2或3所述的寻址驱动器，其中连接到所述上拉MOS晶体管的体端的所述结点具有高于所述上拉MOS晶体管源端的电压。

6.如权利要求2或3所述的寻址驱动器，其中向所述能量恢复电路供应电能的电源的输出电压高于所述能量恢复电路的输出电压，并且所述上拉MOS晶体管的体端经所述结点电连接到所述电源。

7.如权利要求1或2或3所述的寻址驱动器，其中所述能量恢复电路包括连接到所述能量恢复电路的谐振电路。

8.一种寻址驱动器，其包括：

上拉MOS晶体管，其在半导体衬底的第一区域中；

下拉MOS晶体管，其在所述半导体衬底的第二区域中；

绝缘层，其覆盖所述上拉MOS晶体管和所述下拉MOS晶体管；

第一源互联，其在所述绝缘层上并且电连接到所述上拉MOS晶体管的源区；

第一体互联，其在所述绝缘层上并且电连接到所述上拉MOS晶体管的体区；以及

能量恢复电路，其在所述半导体衬底的第三区域中并且电连接到所述第一源互联，

其中所述第一体互联与所述第一源互联电绝缘。

9.如权利要求8所述的寻址驱动器，还包括：

电源线，其在所述绝缘层上以向所述能量恢复电路供应电能，其中所述第一体互联电连接到所述电源线。

10.如权利要求8或9所述的寻址驱动器，其中所述上拉MOS晶体管和所述下拉MOS晶体管分别为p-沟道MOS晶体管和n-沟道晶体管。

11.如权利要求10所述的寻址驱动器，其中：

所述半导体衬底包括p-型支撑衬底和设置在所述p-型支撑衬底上的n-型体层；

所述上拉MOS晶体管包括：

p-型扩散隔离区，其在所述n-型体层的预定区域中并且电隔离所述

n-型体层的一部分，

p-型漏区，其在所述隔离n-型体层中，

p-型源区，其在所述隔离n-型体层中并且与所述p-型漏区分隔开，

n-型体提取区，其在所述p-型扩散隔离区和所述p-型源区之间的隔离n-型体层中，并且在所述p-型扩散隔离区和所述p-型漏区之间的隔离n-型体层中，

栅电极，其设置在所述p-型源区和所述p-型漏区之间的隔离n-型体层上，

第一源互联穿过所述绝缘层电连接到所述p-型源区，并且第一体互联穿过所述绝缘层电连接到所述n-型体提取区。

12.如权利要求11所述的寻址驱动器，其中所述p-型扩散隔离区与所述p-型支撑衬底接触。

13.如权利要求11所述的寻址驱动器，还包括：

n-型埋层，其在所述隔离n-型体层和所述p-型支撑衬底之间，其中所述n-型埋层具有高于所述n-型体层的杂质浓度。

14.如权利要求11所述的寻址驱动器，其中所述上拉MOS晶体管具有关于穿过所述p-型源区和所述p-型漏区之间的所述隔离n-型体层的中心点的垂直轴的对称结构。