[发明专利]用于沉积多组分金属氧化物薄膜的第2族金属前体

说明书

涉及本申请的交叉引用

[0001]本专利申请享有2007年5月16日提交的美国临时专利申请序号 60/938,233的权益。

背景技术

[0002]半导体制造行业对沉积钛酸钡锶盐薄膜(“BST”)以在各种集成电路中 搭建电子器件很感兴趣。半导体行业已经寻找到钡、锶和钛的前体，这样的物 质是稳定的、液态的并且易于在低于标准沉积条件下离解以脱离高纯度BST薄 膜并且转移至钡、锶和钛前体残余的气相中，那些可逆地结合金属直至达到其 中使金属由配体前体形成沉积的沉积条件。

[0003]本领域代表性的现有技术包括：

[0004]Auld，J.；Jones，A.C.；Leese，A.B.；Cockayne，B.；Wright，P.J.；O′Brien，P.； Motevalli，M.，“在氧化物的沉积中b-二酮化钡的气相传输以及一种新的2，2，6，6- 四甲基庚烷-3，5-二酮合钡(II)六聚体簇的分离和结构表征”(″Vapor-phase transport of barium b-diketonates in the deposition of oxides and the isolation and structural characterization of a novel hexameric cluster of 2，2，6，6-tetramethylheptane- 3，5-dionato-barium(11)″)，Journal of Materials Chemistry，3，(12)，1203-8.(1993).

[0005]Baum，T.H.，“用于液体输送的化学气相沉积的烷烃和多胺溶剂组合物” (″Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition″)，99-454954 6344079，1999 1203.，(2002).

[0006]Baum，T.H.；Paw，W.，“第IIA族p-二酮化物四氢呋喃加合物配合物作为用 于化学气相沉积的源试剂”(″Group IIA p-diketonate tetrahydrofuran-adduct complexes as source reagents for chemical vapor deposition″)，99-321637-1-6218518， 19990528，(2001).

[0007]Bedoya，C.；Condorelli，G.G.；Motta，A.；Mauro，A.D.；Anastasi，G.；Fragala，I. L.；Lisoni，J.G.；Wouters，D.，“含Sr的氧化物的MOCVD：Sr(tmhd)2-pmdeta前体的 传输性能和沉积机制”(″MOCVD of Sr-Containing Oxides：Transport Properties and Deposition Mechanisms of the Sr(tmhd)2-pmdeta Precursor″)，Chemical Vapor Deposition，11，269-275，(2005).

[0008]Brooks，J.；Davies，H.0.；Leedham，T.J.；Jones，A.C，；Steiner，A.，“没有加合的 双(四甲基庚烷二酸)合锶：用作含锶的氧化物的MOCVD的标准前体的晶体结 构”(″The crystal structure of unadducted strontium bis-tetramethylheptanedionate： The standard precursor for the MOCVD of strontium-containing oxides″)，Chemical Vapor Deposition，6，(2)，66+，(2000).