[发明专利]集成电路装置及其形成方法

权利要求书

1、一种集成电路装置，包括：

其中具有第一金属的第一金属区域，位于集成电路衬底上；

第一导电屏蔽层，在所述第一金属区域的表面上，所述第一导电屏蔽层包括抑制所述第一金属从所述第一金属区域向外扩散的材料；

其中具有催化金属的第二金属区域，在所述第一导电屏蔽层上；

电绝缘层，在所述第二金属区域上，所述电绝缘层在其中具有暴露一部分所述第二金属区域的开口；和

多个碳纳米管，在所述开口中延伸，并且通过所述第二金属区域的暴露部分和所述第一导电屏蔽层电耦合到所述第一金属区域。

2、如权利要求1所述的装置，其中所述第一金属是铜；并且其中所述导电屏蔽层包括钴合金、镍合金、钯和铟及它们的组合中至少一种。

3、如权利要求2所述的装置，其中所述催化金属是选自由铁、镍、钴、钨、钇、钯和铂组成的组中的金属。

4、如权利要求1所述的装置，还包括在所述多个碳纳米管上的第二导电屏蔽层。

5、如权利要求4所述的装置，其中所述第二导电屏蔽层包括选自由钽、氮化钽、钨和氮化钨组成的组中的金属。

6、如权利要求5所述的装置，还包括在所述第二导电屏蔽层上的铜镶嵌图案。

7、如权利要求1所述的装置，还包括在所述第二金属区域和所述电绝缘层之间的导电盖层，所述导电盖层包括抑制氧从所述电绝缘层向外扩散到所述第二金属区域的材料。

8、如权利要求7所述的装置，其中所述导电盖层在其中具有与所述电绝缘层中的开口对准的开口。

9、如权利要求7所述的装置，其中所述导电盖层接触所述第二金属区域的上表面，并且包括选自由钴合金、镍合金、钯和铟及它们的组合组成的组中的金属。

10、如权利要求7所述的装置，其中所述导电盖层接触所述第二金属区域的上表面，并且包括选自由磷掺杂钴合金、硼掺杂钴合金、磷掺杂镍合金、硼掺杂镍合金、钯和铟及它们的组合组成的组中的金属。

11、一种集成电路装置，包括：

半导体衬底；

在所述半导体衬底上的第一层间绝缘层，所述第一层间绝缘层在其中具有凹槽；

第一铜图案，在所述第一层间绝缘层中的所述凹槽中；

衬于所述凹槽的底部和侧壁的第一导电屏蔽层，使得该第一导电屏蔽层在所述第一铜图案和第一层间绝缘层之间延伸，所述第一导电屏蔽层包括抑制铜从所述第一铜图案向外扩散的材料；

第二导电屏蔽层，在所述第一铜图案的上表面上，所述第二导电屏蔽层包括抑制铜从所述第一铜图案向外扩散的材料；

催化金属层，在所述第二导电屏蔽层上；

第二层间绝缘层，在所述催化金属层上，所述第二层间绝缘层在其中具有暴露一部分所述催化金属层的开口；和

多个碳纳米管，在该开口中延伸，并且通过所述催化金属层的该暴露部分和所述第二导电屏蔽层电耦合到所述第一铜图案。

12、如权利要求11所述的装置，其中所述第二导电屏蔽层包括选自由磷掺杂钴合金、硼掺杂钴合金、磷掺杂镍合金、硼掺杂镍合金、钯和铟及它们的组合组成的组中的金属。

13、如权利要求11所述的装置，还包括在所述催化金属层和所述第二层间绝缘层之间延伸的盖层。

14、如权利要求13所述的装置，其中所述盖层包括选自由磷掺杂钴合金、硼掺杂钴合金、磷掺杂镍合金、硼掺杂镍合金、钯和铟及它们的组合组成的组中的金属。

15、如权利要求11所述的装置，还包括所述催化金属层和所述第二层间绝缘层之间的盖层，所述盖层包括抑制氧从所述电绝缘层向外扩散到所述催化金属层的材料。

16、如权利要求12所述的装置，其中所述第一导电屏蔽层包括选自由磷掺杂钴合金、硼掺杂钴合金、磷掺杂镍合金、硼掺杂镍合金、钯和铟及它们的组合组成的组中的金属。

17、如权利要求16所述的装置，其中所述催化金属层包括铁、镍和钴及它们的组合中的至少一种。