[发明专利]制造闪速存储器件的方法

权利要求书

1.一种制造闪速存储器件的方法，包括：

在半导体衬底的单元区中形成栅极；然后

在所述半导体衬底上顺序地堆叠第一介电薄膜和第二介电薄膜；然后

通过进行第一蚀刻过程在所述栅极的侧壁上形成包括第一介电薄膜图案和第二介电薄膜图案的第一隔离体；然后

利用所述第二介电薄膜图案作为掩膜，在所述半导体衬底中形成源区和漏区；然后

除去所述第二介电薄膜图案；然后

在所述半导体衬底上顺序地堆叠第三介电薄膜和第四介电薄膜；然后

通过进行第二蚀刻过程在所述栅极的所述侧壁上形成包括第一介电薄膜图案和第三介电薄膜图案的第二隔离体，其中，所述第二介电薄膜图案的厚度大于所述第三介电薄膜图案的厚度；然后

在包括所述栅极和所述第二隔离体的所述半导体衬底上形成层间介电薄膜。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，除去所述第二介电薄膜图案包括：

通过进行湿法蚀刻过程以除去所述第二介电薄膜图案。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，使用磷酸(H₃PO₄)作为蚀刻溶液来实施所述湿法蚀刻过程。

4.根据权利要求1所述方法，其中，所述第一和第四介电薄膜包括氧化物薄膜而所述第二和第三介电薄膜包括氮化物薄膜。

5.根据权利要求4所述方法，其中，所述氧化物薄膜包括TEOS，而所述氮化物薄膜包括SiN。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，顺序地堆叠所述第一介电薄膜和所述第二介电薄膜包括：

顺序地形成具有厚度范围在到之间的所述第一介电薄膜和具有厚度范围在到之间的所述第二介电薄膜。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，顺序地堆叠所述第三介电薄膜和所述第四介电薄膜包括：

形成具有厚度范围在到之间的所述第三介电薄膜和具有厚度范围在到之间的所述第四介电薄膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第二隔离体包括：

实施除去部分所述第三介电薄膜和所述全部第四介电薄膜的所述第二蚀刻过程。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述栅极包括在所述半导体衬底上顺序地堆叠栅极氧化物薄膜、浮栅、介电薄膜以及控制栅极。

10.根据权利要求1所述的方法，进一步包括，在形成所述

在包括所述栅极和所述第二隔离体的所述半导体衬底上形成金属层；然后

在所述半导体衬底上通过实施退火过程在所述栅极和所述源/漏区上形成硅化物层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述金属层包括钴。

12.一种制造闪存存储器件的方法，包括：

在半导体衬底的单元区中形成多个栅极并且在所述半导体衬底的周边区中形成一栅电极；然后

在所述栅极和所述栅电极侧壁上形成包括第一介电层和第二介电层的第一隔离体；然后

利用所述第二介电层作为掩膜在所述半导体衬底中形成源/漏区；然后

除去所述第二介电层以暴露所述第一介电层；然后

在所述栅极和所述栅电极的所述侧壁上形成包括所述第一介电层和第三介电层的第二隔离体，其中，所述第二介电层的厚度大于所述第三介电层的厚度。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第一隔离体包括：

在所述半导体衬底的最上表面上形成紧靠所述栅极和所述栅电极侧壁的所述第一介电层；然后

在所述第一介电层上形成所述第二介电层；然后

在所述第一介电层和所述第二介电层上实施第一蚀刻过程。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，形成所述第二隔离体包括：

在所述第一介电层上形成所述第三介电层；然后

在所述第三介电层上形成第四介电层；然后

在所述第三介电层和所述第四介电层上实施第二蚀刻过程，其中，所述第二蚀刻过程包括除去部分所述第三介电层和所述全部第四介电层。