[发明专利]有机晶体管及有源矩阵基板有效
申请号: | 200810128074.8 | 申请日: | 2008-07-29 |
公开(公告)号: | CN101359720A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 青木敬 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L51/05 | 分类号: | H01L51/05;H01L51/10;H01L27/28 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 晶体管 有源 矩阵 | ||
1.一种有机晶体管,其特征在于,具备:
具有预定的长度的栅电极,
在俯视状态下重叠于前述栅电极的源电极及漏电极,
设置于前述源电极与漏电极之间的、由有机材料构成的有机半导体部,
设置于前述有机半导体部内的、成为前述源电极与前述漏电极之间的 沟道的沟道区域,和
设置于前述栅电极的前述长度方向的一侧,且与前述漏电极通过带状 的连接布线部相连接的功能部;
前述漏电极构成为,该漏电极整体在俯视状态下重叠于前述栅电极, 前述连接布线部沿前述一侧延伸地连接于该漏电极,并且宽度不足前述连 接布线部的2倍的带状的虚设连接布线部沿前述栅电极的前述长度方向上 的另一侧延伸地连接于该漏电极;
前述连接布线部,延伸于前述栅电极的前述一侧的端缘或该端缘的前 述一侧,且前述虚设连接布线部,延伸于前述栅电极的前述另一侧的端缘 或该端缘的前述另一侧。
2.按照权利要求1所述的有机晶体管,其特征在于:
前述虚设连接布线部的宽度,与前述连接布线部的宽度相同。
3.按照权利要求1或2所述的有机晶体管,其特征在于:
前述源电极及前述漏电极,为梳形状。
4.按照权利要求1或2所述的有机晶体管,其特征在于:
前述连接布线部,采用光刻法所形成,且其宽度为1μm以上且10μ m以下。
5.按照权利要求1或2所述的有机晶体管,其特征在于:
前述连接布线部,以印刷法所形成,且其宽度为10μm以上且100μ m以下。
6.按照权利要求1或2所述的有机晶体管,其特征在于:
前述有机半导体部构成为,该有机半导体部整体在俯视状态下重叠于 前述栅电极。
7.一种有源矩阵基板,其特征在于:
具备多个权利要求1~6中的任何一项所述的有机晶体管。
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