[发明专利]有机晶体管及有源矩阵基板有效

专利信息
申请号: 200810128074.8 申请日: 2008-07-29
公开(公告)号: CN101359720A 公开(公告)日: 2009-02-04
发明(设计)人: 青木敬 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L51/05 分类号: H01L51/05;H01L51/10;H01L27/28
代理公司: 北京市中咨律师事务所 代理人: 陈海红;段承恩
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 晶体管 有源 矩阵
【权利要求书】:

1.一种有机晶体管,其特征在于,具备:

具有预定的长度的栅电极,

在俯视状态下重叠于前述栅电极的源电极及漏电极,

设置于前述源电极与漏电极之间的、由有机材料构成的有机半导体部,

设置于前述有机半导体部内的、成为前述源电极与前述漏电极之间的 沟道的沟道区域,和

设置于前述栅电极的前述长度方向的一侧,且与前述漏电极通过带状 的连接布线部相连接的功能部;

前述漏电极构成为,该漏电极整体在俯视状态下重叠于前述栅电极, 前述连接布线部沿前述一侧延伸地连接于该漏电极,并且宽度不足前述连 接布线部的2倍的带状的虚设连接布线部沿前述栅电极的前述长度方向上 的另一侧延伸地连接于该漏电极;

前述连接布线部,延伸于前述栅电极的前述一侧的端缘或该端缘的前 述一侧,且前述虚设连接布线部,延伸于前述栅电极的前述另一侧的端缘 或该端缘的前述另一侧。

2.按照权利要求1所述的有机晶体管,其特征在于:

前述虚设连接布线部的宽度,与前述连接布线部的宽度相同。

3.按照权利要求1或2所述的有机晶体管,其特征在于:

前述源电极及前述漏电极,为梳形状。

4.按照权利要求1或2所述的有机晶体管,其特征在于:

前述连接布线部,采用光刻法所形成,且其宽度为1μm以上且10μ m以下。

5.按照权利要求1或2所述的有机晶体管,其特征在于:

前述连接布线部,以印刷法所形成,且其宽度为10μm以上且100μ m以下。

6.按照权利要求1或2所述的有机晶体管,其特征在于:

前述有机半导体部构成为,该有机半导体部整体在俯视状态下重叠于 前述栅电极。

7.一种有源矩阵基板,其特征在于:

具备多个权利要求1~6中的任何一项所述的有机晶体管。

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