[发明专利]有机晶体管及有源矩阵基板

说明书

技术领域

本发明，涉及有机晶体管及有源矩阵基板。

背景技术

近年来，代替由以硅为代表的无机材料构成的薄膜晶体管，采用了有 机材料的有机晶体管受到注目。有机晶体管，因为能够以低温工序进行制 造，所以能够采用塑料基板、膜，能够形成具有柔性而轻量、难以损坏的 元件。并且，有机晶体管，能够采用液体材料以涂敷法、印刷法等简单的 方法进行形成，能够以短时间形成元件。因此，也有可以将工艺成本、形 成装置成本抑制为非常低的非常大的优点。并且，因为有机材料中，通过 使其分子结构发生改变等而容易使材料特性发生变化，所以采用了有机材 料的有机晶体管，可以与包括在由无机材料构成的晶体管中难以实现的功 能等的多种多样的功能对应。

如此的有机晶体管，具有：源区域及漏区域，这些区域间的由有机半 导体材料构成的沟道区域，可以在沟道区域施加电场的栅电极，和栅电极 与沟道区域之间的栅绝缘膜。通过如此的构成，若在沟道区域施加电场， 则可以在源区域及漏区域之间流过电流。

前述的栅电极，通常考虑对准偏差等的工艺误差所形成，使得至少包 括沟道区域整体而在比此宽广的范围施加电场。因此，在源区域及漏区域， 对其一部分或者整体施加电场，在施加有电场的部分产生寄生电容。然后， 当停止了由栅电极引起的电场施加时，在漏区域的寄生电容、与连接于漏 区域的元件的保持电容之间产生电容分割。因此，施加于元件的电压下降， 对元件的性能产生影响。例如，在漏区域连接有像素显示元件的显示装置 的情况下，在与施加电压降低了的像素显示元件相对应的像素中，对比度 下降。

连接于漏区域的元件中的施加电压的变化量(降低量)，被漏区域的寄 生电容的大小所影响，因为寄生电容的大小起因于对准偏差而具有不均， 所以在元件的性能上产生不均。若在元件的性能上产生不均，则例如产生 按每个像素、对比度降低的程度发生变化的显示特性的降低等的不良状况。 作为避免如此的不良状况的方法，存在由专利文献1、2所公开的方法等。 在专利文献1的方法中，通过将与沟道区域相对应的部分以外的栅绝缘膜 形成得厚而使寄生电容减小。并且，在专利文献2的方法中，在具备像素 的阵列的矩阵型显示器中，为了防止在排列而连续起来的像素中周期性地 产生寄生电容的变化，在连续起来的像素中使寄生电容不规则地发生变化。

【专利文献1】特开2006-278984号公报

【专利文献2】特表2005-524224号公报

可是，在专利文献1的方法中，因为使厚度局部性地变化而形成栅绝 缘膜，所以工艺变得复杂化，有可能产生工艺成本的上升或者成品率的下 降等。并且，可认为虽然能够减小寄生电容，但是无法降低寄生电容的不 均。并且，在专利文献2的方法中，虽然难以看出每个像素的显示特性的 降低，但是因为显示特性本身并未改善，所以无法得到使显示质量提高的 效果。

发明内容

本发明，鉴于前述情形所作出，目的之一在于提供降低了寄生电容的 不均的有机晶体管及具备其的有源矩阵基板。并且，目的之一在于提供质 量稳定的有机晶体管及具备其的有源矩阵基板。

本发明的有机晶体管，特征为，具备：具有预定的长度的栅电极，在 俯视状态下重叠于前述栅电极的源电极及漏电极，设置于前述源电极与漏 电极之间的由有机材料构成的有机半导体部，设置于前述有机半导体部内 的、成为前述源电极与前述漏电极之间的沟道的沟道区域，和设置于前述 栅电极的前述长度方向上的一侧、且与前述漏电极通过带状的连接布线部 相连接的功能部；前述漏电极，在俯视状态下，该漏电极整体重叠于前述 栅电极，相对该漏电极，前述连接布线部沿前述一侧延伸地进行连接，并 且宽度不足前述连接布线部的2倍的带状的虚设连接布线部沿前述栅电极 的前述长度方向上的另一侧延伸地进行连接；前述连接布线部，延伸于前 述栅电极的前述一侧的端缘或该端缘的前述一侧，且前述虚设连接布线部， 延伸于前述栅电极的前述另一侧的端缘或该端缘的前述另一侧。

若如此地成为具有虚设连接布线部的构成，则由漏电极与连接布线部 与虚设连接布线部构成的漏侧导电部在俯视状态下与栅电极相重叠的部 分，当栅电极与预期的位置相比，沿其长度方向偏离所形成而产生对准偏 差时，其面积的变化量变小。