[发明专利]导体图案的形成方法

权利要求书

1.一种导体图案的形成方法，包括：

在一基底上形成一第一导体层；

在该第一导体层上形成一图案化硬掩模层；

以该图案化硬掩模层为掩模，移除部分该第一导体层，以暴露出部分该基底；

在该基底上形成一介电层，且该介电层覆盖该图案化硬掩模层；

移除部分该介电层，以暴露出该图案化硬掩模层；

移除该图案化硬掩模层，以在该介电层中形成一开口；以及

在该开口中形成一第二导体层。

2.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该导体图案包括导线。

3.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该第一导体层的材料包括金属。

4.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该第一导体层的形成方法包括物理气相沉积法。

5.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该图案化硬掩模层的材料包括碳。

6.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该图案化硬掩模层的材料包括光致抗蚀剂类材料。

7.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该图案化硬掩模层的形成方法包括：

在该第一导体层上形成一硬掩模材料层；以及

对该硬掩模材料层进行一图案化工艺。

8.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中部分该第一导体层的移除方法包括干式蚀刻法。

9.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该介电层的材料包括氧化硅。

10.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该介电层的形成方法包括化学气相沉积法。

11.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中部分该介电层的移除方法包括回蚀刻法。

12.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中部分该介电层的移除方法包括化学机械抛光法。

13.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该图案化硬掩模层的移除方法包括干式蚀刻法。

14.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该图案化硬掩模层的移除方法包括湿式蚀刻法。

15.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该第二导体层的材料包括金属。

16.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该第二导体层的形成方法包括：

在该介电层上形成一导体材料层，且该导体材料层填满该开口；以及

移除该开口以外的该导体材料层。

17.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该导体材料层的形成方法包括物理气相沉积法。

18.如权利要求1所述的导体图案的形成方法，其中该开口以外的该导体材料层的移除方法包括化学机械抛光法。