[发明专利]半导体装置及引线接合方法无效
申请号: | 200810129202.0 | 申请日: | 2008-06-20 |
公开(公告)号: | CN101335252A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 三井竜成;木内逸人 | 申请(专利权)人: | 株式会社新川 |
主分类号: | H01L23/49 | 分类号: | H01L23/49;H01L21/603 |
代理公司: | 上海三和万国知识产权代理事务所 | 代理人: | 王礼华 |
地址: | 日本国东京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 引线 接合 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体装置的结构及半导体装置的引线接合方法。
背景技术
在IC等半导体装置的组装工序中有用引线连接半导体芯片和引脚框之间的引线接合工序。引线接合工序一般使用以下方法:引线插入穿通毛细管,使用该毛细管,通过焊枪电极放电,在从毛细管突出的引线前端形成球,使得毛细管位于半导体芯片的焊接点(pad)上,进行一次焊接后,使得毛细管移动到引脚框的引脚上,进行二次焊接,通过引线连接半导体芯片和引脚框之间(例如,参照专利文献1)。
在上述那样的引线接合方法中,二次焊接的引线与引脚间的接合面积是夹在毛细管的面部和引脚间的引线面积,其小于通过球焊接合的一次焊接的引线和焊接点间的接合面积,接合强度变低,焊接可靠性变差。
于是,作为提高上述那样的二次焊接中接合部的强度从而改善焊接可靠性的方法,专利文献1提出了以下方法:对引脚进行二次焊接后,将引线折返再次与引脚焊接。专利文献2则提出了以下方法:使得引线与引脚连接的同时移动毛细管,形成二次焊接的带状接合部以增加接合面积,从而提高二次焊接中接合部的强度。
另一方面,在半导体装置中,半导体芯片和引脚间通过引线接合后,整体以树脂密封进行半导体封装是比较常见的方法。然而,在半导体封装的实际工序中,若被树脂密封的半导体封装的温度上升,可能会因树脂热膨胀而在引线中产生应力。这种场合,二次焊接的接合部与引脚的接合部的厚度会变薄,因热膨胀引起的应力集中,可能会在接合部产生裂缝。因此,在专利文献3中提出了以下方法:与二次焊接的接合部的半导体芯片侧邻接设置比引线连接用的接合部厚度厚的接合部,减少因树脂热膨胀引起裂缝的现象。而专利文献4则提出了以下方法:为了避免树脂进入引脚和引线之间,二次焊接时,使得毛细管从引脚端部沿引脚面平行移动,使引线与引脚紧密连接。
[专利文献1]日本特公平3-63814号公报
[专利文献2]日本特开昭52-67262号公报
[专利文献3]日本特开平2-30153号公报
[专利文献4]日本特开平8-293512号公报
近年来,在半导体装置制造中,大多使用将复数个半导体芯片作为整体用树脂密封的整体封装法,代替将各半导体芯片分别用树脂密封的个别封装法。使用该整体封装法场合,使用以下引脚框:将安装半导体芯片的复数个岛(island)及与之对应的复数个引脚密集作为一个区段(block)配置,在背面粘贴防止密封剂泄漏用的带。当将上述那样的引脚框为了接合固定在焊接台上场合,通过背面的带真空吸附在焊接台上,而且在密集复数个半导体芯片的区段周边,从上方推压引脚框,因此,引脚框在焊接台上的固定状态并不好,引线接合时会产生引线振动的问题。
尤其,对某引线进行接合时,对该引线施加超声波励振,会使得已完成焊接的其他引线与引脚的接合部或者焊接点侧的球颈产生裂缝,成为断线的原因。
然而,在专利文献1至4中,并没有关于上述那样接合时施加超声波励振对其他已完成焊接的引线产生损伤的内容,在专利文献1至4记载的现有技术中,无法解决上述问题。
发明内容
本发明就是为解决上述现有技术所存在的问题而提出来的,本发明的目的在于,抑制接合时施加超声波励振对其他已完成焊接的引线造成的损伤。
为了达到上述目的,本发明提出以下技术方案:
(1)一种半导体装置,半导体芯片表面的焊接点与引脚通过引线连接,在与引脚框的半导体芯片安装面相反侧的面粘贴带,进行制造,其特征在于:
该半导体装置包括:
球焊部,引线插入穿通毛细管,从其下端凸出,在该引线前端形成初始压焊球,将该初始压焊球焊接在焊接点上;
引线,从球焊部向引脚延伸,与引脚接合;
引线在球焊后的引线输送工序中,形成朝与引脚相反方向凸出的第一扭折以及朝引脚方向凸出的第二扭折,此后经闭环处理与引脚接合;
引线由以下各部分形成:从焊接点朝引脚延伸、朝半导体芯片厚度方向弯曲的第一弯曲部,朝与第一弯曲部相反方向弯曲的第二弯曲部,从第二弯曲部朝引脚、沿引脚表面方向延伸的直线部,以及焊接在引脚上的直线部侧端部;
直线部的引脚侧面朝引脚表面被推压。
(2)一种半导体装置,半导体芯片表面的焊接点与引脚通过引线连接,在与引脚框的半导体芯片安装面相反侧的面粘贴带,进行制造,其特征在于:
该半导体装置包括:
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