[发明专利]半导体集成电路装置

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，包括：

衬底，具有在其上形成的半导体存储元件，所述半导体存储元件的数据存储状态通过光的照射而改变；以及

多层布线结构，在所述衬底的形成所述半导体存储元件的同一侧上形成；

其中，所述多层布线结构包括：

透明区域，在与形成所述半导体存储元件的元件区域相对的位置处由透明材料形成，所述透明区域用作从所述多层布线结构的外部至所述半导体存储元件的导光路径；

屏蔽区域，由在所述透明区域的外围中设置在数层中的屏蔽材料连续地形成；以及

电极，控制所述半导体存储元件的存储状态，所述电极在与所述透明区域相关的所述屏蔽区域的外部形成。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，还包括：屏蔽从所述多层布线结构的外部进入到所述透明区域的光线的屏蔽构件，所述屏蔽构件位于与所述透明区域相对的位置上，其中，与所述屏蔽区域连续地形成所述屏蔽构件。

3.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，还包括：外部地连接所述元件区域的输入/输出布线，其中，所述多层布线结构包括沿着所述输入/输出布线延伸一定长度的延伸部件；并且所述延伸部件包括至少一个角部件，以便所述输入/输出布线穿过至少一个角进行布线。

4.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，还包括：外部地连接所述元件区域的输入/输出布线，其中，所述多层布线结构包括沿着所述输入/输出布线延伸一定长度的延伸部件；并且所述延伸部件包括至少一个角部件，以便所述输入/输出布线穿过至少一个角进行布线。

5.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其中，所述屏蔽区域在所述透明区域的外围，由设置在数层中的屏蔽布线、在设置在数层中的所述屏蔽布线之间进行连接的屏蔽通孔栓塞，以及将所述屏蔽布线连接到所述衬底的屏蔽接触栓塞连续地形成。

6.一种半导体集成电路装置，包括：

衬底，具有在所述衬底上形成的第一半导体存储元件和在所述衬底上形成的第二半导体存储元件，所述第一和第二半导体存储元件的数据存储状态由光的照射而改变；以及

多层布线结构，在所述衬底的形成所述第一和第二半导体存储元件的同一侧上形成；

其中，所述多层布线结构包括：

第一透明区域，在与形成所述第一半导体存储元件的第一元件区域相对的位置处由透明材料形成，所述第一透明区域用作从所述多层布线结构的外部至所述第一半导体存储元件的导光路径；

第一屏蔽区域，在所述第一透明区域的外围，由设置在数层中的屏蔽布线、在设置在数层中的所述屏蔽布线之间进行连接的屏蔽通孔栓塞，以及将所述屏蔽布线连接到所述衬底的屏蔽接触栓塞连续地形成；

第二透明区域，在与形成所述第二半导体存储元件的第二元件区域相对的位置处由透明材料形成，所述第二透明区域用作从所述多层布线结构的外部至所述第二半导体存储元件的导光路径；

第二屏蔽区域，在所述第二透明区域的外围中和与所述第二透明区域相对的位置处，由设置在数层中的屏蔽布线、在设置在数层中的所述屏蔽布线之间进行连接的屏蔽通孔栓塞，以及将所述屏蔽布线连接到所述衬底的屏蔽接触栓塞连续地形成；以及

电极，控制所述第一和第二半导体存储元件的存储状态，所述电极在与所述第一和第二透明区域相关的所述第一和第二屏蔽区域的外部形成；以及

所述半导体集成电路装置还包括屏蔽从所述多层布线结构的外部进入到所述第一透明区域的光线的屏蔽构件，所述屏蔽构件位于与所述第一透明区域相对的位置上，

其中，所述屏蔽构件与所述第一屏蔽区域连续地形成。

7.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其中，所述屏蔽构件由聚酰亚胺制成。

8.根据权利要求6所述的半导体集成电路装置，其中，所述屏蔽构件由聚酰亚胺制成。

9.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其中，所述屏蔽构件由金属制成。

10.根据权利要求6所述的半导体集成电路装置，其中，所述屏蔽构件由金属制成。