[发明专利]半导体集成电路装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体集成电路装置。

背景技术

在用于LCD(液晶显示屏)驱动器的传统半导体集成电路装置中，半导体芯片通过金属凸点直连在玻璃基板(下文称为“LCD基板”)上，在玻璃基板上设置LCD。图8示出了LCD基板1000的平面图，在该平面图上，设置LCD面板1001和用于LCD驱动器中的半导体集成电路装置1002。如图8中所示，通常，用于LCD驱动器中的半导体集成电路装置1002设置在LCD面板1001附近暴露于外部光线的地方。因此，用于LCD驱动器中的半导体集成电路装置1002可以直接或者间接受到外部光线的照射。

同时，如图8中所示，用于LCD驱动器中的半导体集成电路装置1002可以包括具有PROM(可编程只读存储器)的程序电路1003(下文称为“PROM区域”)。设备制造商，亦即客户，可以使用PROM区域1003写下诸如任意的ID号码的设备制造商数据(客户数据)。在这样的情况下，需要PROM保留写下的数据。然而，如果在LCD驱动器中使用的半导体集成电路装置暴露于外部光线之下，外部的光线可以照射PROM区域1003，并擦除刻录在PROM中的客户数据。因此，PROM区域1003需要屏蔽光线。

因此，日本未审查专利申请公开号2006-154317描述了一种显示装置，其中，屏蔽构件设置在设置于LCD基板上面的EPROM(可擦可编程只读存储器)的上面。此外，日本实用新型未审查公开号05-038915描述了一种在半导体集成电路上的EPROM存储单元的上方设置屏蔽膜，以覆盖EPROM的技术。此外，日本未审查专利申请公开号07-066378描述了一种技术，其中，在EPROM上方设置具有曝光窗口的屏蔽膜，以便在屏蔽膜形成过程中可以降低EPROM中的晶体管的工作阈值，能够通过曝光窗口照射紫外线得到恢复。顺便提及，在EPROM中的晶体管的工作阈值恢复后，曝光窗口由光阻绝缘膜覆盖。此外，日本未审查专利申请公开号2003-124363描述了一种在EEPROM(电可擦可编程只读存储器)的上方设置屏蔽膜的技术。另外，接触栓塞和通孔栓塞也设置在EEPROM区域周围，以防止外部光线从EEPROM区域的侧面照射。

然而，在上面已说明的相关技术的半导体集成电路装置中，当PAD部件形成时，PROM由屏蔽膜等屏蔽。因此，一旦通过PAD部件执行用于PROM的写测试时，则不能通过将紫外线照射到PROM来擦除已写的数据。因此，在相关技术的半导体集成电路装置中，在制造过程中不能执行PROM的写测试。

因此，设置在相关技术中的半导体集成电路装置中的PROM，仅能够作为一次可编程装置(下文称为“OTP装置”)使用。如上所，由于在相关技术中的半导体集成电路装置中不执行PROM的写测试，所以在半导体集成电路装置中需要形成超过必需数量的PROM(OTP装置)。因为它包含超过必需数量的PROM(OTP装置)，即使一个PROM(OTP装置)有缺陷，另一个PROM(OTP装置)也能够替代该有缺陷的PROM。

然而，客户需要的ID总数增加了，并且有时该总数达到数百至数千位。根据缺陷率，需要在半导体集成电路装置中形成数十至数百位的PROM(OTP装置)。因此，这成为半导体集成电路装置小型化设计的障碍。

发明内容

根据本发明的一个实施方式，半导体集成电路装置包括其上形成半导体存储元件的衬底，其中，半导体存储元件的数据存储状态由光照射而改变，和与形成半导体存储元件的衬底的同一侧上形成的多层布线结构。多层布线结构包括透明区域、屏蔽区域以及电极。透明区域在形成半导体存储元件的元件区域相对的位置上由透明材料形成，并且被用作从多层布线结构的外面至半导体存储元件的导光路径。屏蔽区域由设置在透明区域外围的数层中的屏蔽材料连续地形成。电极在与透明区域相关的屏蔽区域的外部形成，并且控制半导体存储元件的存储状态。以这种方式，因为用于导光路径的透明区域仅在电极形成之后不被屏蔽，所以通过电极对半导体存储元件执行试验性的写操作之后，通过向半导体存储元件照射光线能够实现擦除操作。即，对应当采取屏蔽措施的半导体存储元件能够执行写测试。因此，在半导体集成电路装置的制造过程中能够执行半导体存储元件的写测试。相应地，因为能够执行写测试，则仅必需数目的半导体存储元件的需要在半导体集成电路装置中形成，所以使得半导体集成电路装置的小型化设计成为可能。

本发明在一方面能够通过紫外线的照射，擦除应当采取屏蔽措施的半导体存储元件的数据，从而允许执行半导体存储元件的写测试。因此，它有助于缩小半导体集成电路装置的芯片尺寸。

附图说明