[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

湿式处理工序，在以第一速度使近似水平状态的基板旋转的同时，使用处理液对上述基板的表面实施湿式处理；

浸液形成工序，将上述基板的转速减速为第二速度并在上述基板上呈浸泡状形成上述处理液的液膜；

置换区域形成工序，在将上述基板的转速维持为上述第二速度以下的同时，向上述基板的表面中央部供给表面张力比上述处理液低的低表面张力溶剂，利用上述低表面张力溶剂形成置换区域；

置换工序，向上述表面中央部供给上述低表面张力溶剂，使上述置换区域在上述基板的直径方向上扩大，将整个上述基板表面置换为上述低表面张力溶剂；

干燥工序，在上述置换工序后从上述基板表面除去上述低表面张力溶剂，使该基板表面干燥，

上述置换工序在比上述置换区域形成工序更高的转速下被执行。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，

在上述置换工序中，以比上述第二速度高的转速使上述基板旋转。

3.如权利要求2所述的基板处理方法，其特征在于，

在上述置换工序中，上述基板的转速随着时间的经过而加速。

4.如权利要求3所述的基板处理方法，其特征在于，

在上述置换工序中，上述基板的转速分多阶段加速，使转速加速时的加速度伴随着上述转速的增加而提高。