[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种在向基板表面供给处理液并对该基板表面实施规定的湿式处理之后，使被处理液润湿的基板表面干燥的基板处理装置以及基板处理方法。另外，作为干燥处理对象的基板包括：半导体晶片、光掩膜用玻璃基板、液晶显示用玻璃基板、等离子显示用玻璃基板、FED(场致发射显示器：Field Emission Display)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板等。 

背景技术

在使用药液的药液处理以及使用纯水等冲洗液的冲洗处理进行完之后，为了除去附着在基板表面上的冲洗液，以往提出了数量很多的干燥方法。作为其中的一种，公知有使用了含有表面张力比纯水更低的IPA(异丙醇：isopropyl alcohol)等有机溶剂成分的液体(低表面张力溶剂)的干燥方法。作为该干燥方法，例如有记载在专利文献1中的干燥方法。在实施该干燥方法的基板处理装置中，对基板表面进行氢氟酸处理之后，向基板表面供给纯水实施洗净处理(冲洗处理)。随后，紧接着纯水的供给停止之后或者在供给纯水的过程中向基板表面供给IPA。由此，在基板表面上的纯水中溶解IPA并用IPA置换纯水。此后，通过使基板高速旋转而从基板表面除去IPA，进行基板表面的干燥处理。 

此外，在记载于专利文献2的抗蚀显影方法中，通过如下方式在谋求降低基板表面上细微垃圾的量的同时使基板表面干燥。首先，在抗蚀显影之后向基板供给纯水进行纯水洗净(冲洗处理)。其次，向基板供给含有比容大致为10％的IPA的纯水进行基板的洗净。随后，在高速旋转基板的同时使基板旋转干燥。 

【专利文件1】JP特开平9-38595号公报(图5) 

【专利文件2】JP特开平3-209715号公报(图1) 

但是，在上述以往技术中，以中速(例如在专利文献1中为300rmp，在专利文献2中为500rpm)使基板旋转的同时向该基板表面供给冲洗液进行冲洗处理。此外，在继冲洗处理之后的置换处理中，以维持原有基板的转速的状态，大量的向基板表面供给IPA或者IPA水溶液等低表面张力溶剂，在短时间内将基板上的冲洗液置换为低表面张力溶剂。因此，在以往技术中，低表面张力溶剂的使用量比较多，产生运行成本增大的问题。因此，为了减少低表面张力溶剂的使用量，正对降低低表面张力溶剂的流量的方法进行着探讨研究。 

然而，若降低了低表面张力溶剂的流量，则只能逐渐置换为低表面张力溶剂，由于马兰哥尼对流而基板表面局部出现干燥。参照图10A、图10B对该情况进行简单说明。在开始供给IPA等低表面张力溶剂的初始阶段，如图10A所示，向基板W的表面中央部供给IPA等低表面张力溶剂而利用低表面张力溶剂形成置换区域SR。此时，低表面张力溶剂的一部分由基板表面Wf弹起飞溅到置换区域SR的周围，或者蒸发的低表面张力溶剂成分扩散到置换区域SR的周围，混入置换区域周围的冲洗液中。尤其是，在以往技术中，为了如上所述将基板W的转速维持为中速，液膜的厚度变得比较薄。因此，在混入低表面张力溶剂的液膜部分MR，低表面张力溶剂的浓度变得高，其结果，如图10B所示，在混入部分MR发生马兰哥尼对流，基板表面Wf局部出现干燥，产生水斑等缺陷。 

发明内容

本发明是鉴于上述问题而提出的，其目的是提供一种使用IPA等低表面张力溶剂使由处理液润湿的基板表面干燥的基板处理装置以及基板处理方法，以少的低表面张力溶剂使基板表面良好的干燥。 

本发明的基板处理方法为了达到上述目的，其特征在于，包括：湿式处理工序，在以第一速度使近似水平状态的基板旋转的同时，使用处理液对基板的表面实施湿式处理；浸液(パドル)形成工序，将基板的转速减速为第二速度并在基板上呈浸泡状(パドル状)形成处理液的液膜；置换区域形成工序，在将基板的转速维持为第二速度以下的同时，向基板的表面中央部供给表面张力比处理液低的低表面张力溶剂，利用低表面张力溶剂形成置换区域；置换工序，向表面中央部供给低表面张力溶剂，使置换区域在基板的直径方向上扩大，将整个基板表面置换为低表面张力溶剂；干燥工序，在置换工序后从基板表面除去低表面张力溶剂，使该基板表面干燥，上述置换工序在比上述置换区域形成工序更高的转速下被执行。