[发明专利]发光元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电元件制造方法，其步骤包含：

提供一基板；

形成一半导体叠层于该基板上，其中该半导体叠层具有一上表面及一下 表面；

以网版印刷技术将一第一金属胶经由网版的网孔印刷到该半导体叠层 的上表面；

提供一热能，使该第一金属胶形成一第一电极，其中该第一电极与该半 导体叠层的上表面之间形成欧姆接触；

移除该基板并露出该半导体叠层的下表面；

以网版印刷技术将一第二金属胶经由网版的网孔印刷到该半导体叠层 的下表面；以及

提供一热能，使该第二金属胶形成一第二电极，其中该第二电极与该半 导体叠层的下表面形成欧姆接触。

2.一种光电元件制造方法，其步骤包含：

提供一基板；

形成一半导体叠层于该基板上；

蚀刻部分该半导体叠层的表面；

以网版印刷技术将一第一金属胶经由网版的网孔印刷到该半导体叠层 上；

提供一热能，使该第一金属胶形成一第一电极，其中该第一电极与该半 导体叠层之间形成欧姆接触；

以网版印刷技术形成一第二金属胶经由网版的网孔印刷到该半导体叠 层的蚀刻表面；以及

提供一热能，使该第二金属胶形成一第二电极，其中该第二电极与该半 导体叠层的蚀刻表面形成欧姆接触。

3.如权利要求1或2所述的光电元件制造方法，其中该半导体叠层包 含一种或一种以上的物质，该物质选自镓、铝、铟、砷、磷、氮以及硅构成 的组。

4.如权利要求1或2所述的光电元件制造方法，其中该半导体叠层由 上而下至少包含一第一导电型半导体层、一有源层，以及一第二导电型半导 体层。

5.如权利要求1或2所述的光电元件制造方法，其中该半导体叠层包 含至少一由一第一导电型半导体层与一第二导电型半导体层堆叠而成的一 pn结。

6.如权利要求5所述的光电元件制造方法，其中该半导体叠层还包含 至少一隧穿结结构。

7.如权利要求1或2所述的光电元件制造方法，该第一金属胶与该第 二金属胶至少包含金属微粒与溶剂，其中该金属微粒选自金、银、铜、钼、 镍、锌、锡、铝、铍、锗、钯、钛和铂及其合金所构成组的至少一材料。

8.如权利要求1或2所述的光电元件制造方法，还包含形成一抗反射 层于该半导体叠层上的步骤。

9.如权利要求1或2所述的光电元件制造方法，其中该基板的材料可 以是硅、碳化硅、氧化锌、砷化镓、磷化镓、锗等导电材料或蓝宝石、玻璃、 钻石等绝缘材料。