[发明专利]发光元件及其制造方法

说明书

技术领域

本发明揭示一种光电元件的制造方法，特别涉及一种光电元件的电极制 造方法。

背景技术

随着半导体材料日渐广泛地应用于发光二极管(Light-emitting Diode， LED)、激光二极管(Laser Diode，LD)与太阳能电池(Photovoltaic Cell)等光电 元件(Photoelectric Device)上，为了降低生产成本，简化现今工艺步骤以提高 生产效率已成为相关业界亟欲解决的问题之一。

图1A至图1G为已知的光电元件制造流程结构示意图；如图1A所示， 首先提供一基板10，其中基板10为一导电基板；接着如图1B所示，形成 一半导体叠层12于基板10上，其中此半导体叠层12由上而下至少包含一 第一导电型半导体层120、一有源层122，以及一第二导电型半导体层124； 再如图1C所示，利用蒸镀技术于发光叠层12上形成一金属层14；接着， 如图1D所示，在金属层14上形成一光阻(photoresist)16；随后如图1E所示， 利用光线透过光掩模18使部分光阻16产生反应，仅留下一部分的光阻16’ 于金属层14上；接着，如图1F所示，蚀刻未覆盖光阻16的金属层14，以 形成一第一电极20；最后，再如图1G所示，移除光阻16，并且再利用蒸镀 于基板10下形成一第二电极22，以获得一光电元件100。

由上述已知的光电元件制造方法可以得知，已知光电元件中电极大小与 电极位置通过光掩模18上光掩模孔180的大小与位置来定义。然而，一般 于上述利用蒸镀技术形成金属层的步骤仅能采用一种金属材料，金属材料的 选择亦受限于蒸镀技术本身。不仅如此，形成金属层后还需要进一步地利用 曝光、显影、蚀刻以及去光阻的技术以移除部分金属层以形成一电极，增加 了光电元件工艺工序与制造成本。

发明内容

本发明的目的为提供一光电元件制造方法，包含利用印刷技术在一半导 体叠层上形成一金属胶，再提供一能量使此金属胶形成一金属电极的步骤， 其中此金属电极与半导体叠层形成欧姆接触。

本发明的另一目的在于利用印刷技术形成金属电极，以减少光电元件的 制造工序与成本。

本发明的再一目的在于利用印刷技术形成金属电极，以增加金属电极材 料的选择，由此增加光电元件产品的多样性。

下面通过具体实施例配合所附的图示详加说明，当更容易了解本发明的 目的、技术内容、特点及其所达成的功效。

附图说明

图1A至图1G为已知的光电元件制造流程结构示意图。

图2A至图2E为本发明一实施例制造流程结构示意图。

图3为本发明实施例结构放大剖面图。

图4A至图4C为本发明另一实施例制造流程结构示意图。

图5A至图5D为本发明又一实施例制造流程结构示意图。

图6A至图6F为本发明再一实施例制造流程结构示意图。

附图标记说明

10～基板                    12～半导体叠层

120～第一导电型半导体层     122～有源层

124～第二导电型半导体层     14～金属层

16、16’～光阻              18～光掩模

180～光掩模孔               20～第一电极

22～第二电极                100～光电元件

24、44、70～基板            26、46、72～半导体叠层

260、460～第一导电型半导体层

262、462～有源层            264、464～第二导电型半导体层

28、34、38～金属胶          30、35、40、52～能量

32、36、42～电极            200、300、400、500～光电元件

48、74～第一金属胶          50、78～第二金属胶

54、76～第一电极          56、80～第二电极

60～网版                  62～刮刀

602～网孔                 720～第一n型半导体层