[发明专利]低压降稳压器无效

专利信息
申请号: 200810130011.6 申请日: 2008-07-23
公开(公告)号: CN101634868A 公开(公告)日: 2010-01-27
发明(设计)人: 高彬 申请(专利权)人: 三星电子株式会社;三星半导体(中国)研究开发有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 郭鸿禧;刘奕晴
地址: 韩国京畿道*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 低压 稳压器
【权利要求书】:

1、一种低压降稳压器,包括:

误差放大器,其正向输入端接收由带隙基准电路产生的电压基准输入;

缓冲器,其正向输入端接收误差放大器的输出,反向输入端与输出端相连接,具有低的输入电容和输出阻抗;

PMOS管,其栅极接收缓冲器的输出,源极接收输入电压,并且漏极输出低压降稳压器的输出电压;和

反馈电路,连接在误差放大器的正向端和PMOS管的漏极之间,用于对输出电压进行分压,以将分压的输出电压反馈到误差放大器的反向输入端。

2、如权利要求1所述的低压降稳压器,其中,所述缓冲器的输出阻抗小于所述误差放大器的输出阻抗。

3、如权利要求2所述的低压降稳压器,其中,所述缓冲器的输入电容小于所述PMOS管的寄生电容。

4、如权利要求2所述的低压降稳压器,其中,所述缓冲器将误差放大器输出端的主极点分裂为两个高频极点。

5、如权利要求2所述的低压降稳压器,其中,所述缓冲器改善低压降稳压器电路的相位裕度。

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