[发明专利]低压降稳压器无效
申请号: | 200810130011.6 | 申请日: | 2008-07-23 |
公开(公告)号: | CN101634868A | 公开(公告)日: | 2010-01-27 |
发明(设计)人: | 高彬 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社;三星半导体(中国)研究开发有限公司 |
主分类号: | G05F1/56 | 分类号: | G05F1/56 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭鸿禧;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿道*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 低压 稳压器 | ||
1、一种低压降稳压器,包括:
误差放大器,其正向输入端接收由带隙基准电路产生的电压基准输入;
缓冲器,其正向输入端接收误差放大器的输出,反向输入端与输出端相连接,具有低的输入电容和输出阻抗;
PMOS管,其栅极接收缓冲器的输出,源极接收输入电压,并且漏极输出低压降稳压器的输出电压;和
反馈电路,连接在误差放大器的正向端和PMOS管的漏极之间,用于对输出电压进行分压,以将分压的输出电压反馈到误差放大器的反向输入端。
2、如权利要求1所述的低压降稳压器,其中,所述缓冲器的输出阻抗小于所述误差放大器的输出阻抗。
3、如权利要求2所述的低压降稳压器,其中,所述缓冲器的输入电容小于所述PMOS管的寄生电容。
4、如权利要求2所述的低压降稳压器,其中,所述缓冲器将误差放大器输出端的主极点分裂为两个高频极点。
5、如权利要求2所述的低压降稳压器,其中,所述缓冲器改善低压降稳压器电路的相位裕度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社;三星半导体(中国)研究开发有限公司,未经三星电子株式会社;三星半导体(中国)研究开发有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810130011.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:机动两轮车
- 下一篇:从溶液中除去砷的方法和设备